[發(fā)明專利]一種電磁加熱組件及電磁加熱烹飪器具

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911425679.8
• 申請(qǐng)日: 2019-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN111107684A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭興家;易亮;吳金華;范吉昌;張翼飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 佛山市順德區(qū)美的電熱電器制造有限公司
• 主分類號(hào): H05B6/36
• 分類號(hào): H05B6/36
• 代理公司: 深圳市世紀(jì)恒程知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44287
• 代理人: 陳文斌

本發(fā)明公開一種電磁加熱組件及電磁加熱烹飪器具，電磁加熱組件包括盤座、第一加熱結(jié)構(gòu)和第二加熱結(jié)構(gòu)，盤座具有安裝側(cè)；第一加熱結(jié)構(gòu)包括第一線圈加熱單元，第一線圈加熱單元設(shè)于盤座的安裝側(cè)；第二加熱結(jié)構(gòu)設(shè)于盤座的安裝側(cè)，且位于盤座的加熱盲區(qū)處，以至少對(duì)盤座的加熱盲區(qū)進(jìn)行加熱。本發(fā)明通過在盤座的加熱盲區(qū)處設(shè)置第二加熱結(jié)構(gòu)，改變電磁加熱組件的加熱區(qū)域和范圍，使加熱區(qū)域呈多區(qū)、多點(diǎn)分布，減小了電磁加熱組件的加熱盲區(qū)，改善了電磁加熱組件的加熱效果，進(jìn)而使得電磁加熱烹飪器具的加熱區(qū)域形成多區(qū)強(qiáng)弱分布，促使食材進(jìn)行無序或者激烈翻滾，以激發(fā)營(yíng)養(yǎng)析出，改善烹飪效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及家用電器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及廚電技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種電磁加熱組件及電磁加熱烹飪器具。

背景技術(shù)

電磁加熱烹飪器具通常都設(shè)置有電磁加熱組件，電磁加熱組件大多包括基電磁線圈加熱單元，而基于電磁加熱單元的原理，在沒有線圈產(chǎn)生磁場(chǎng)的位置，例如單個(gè)電磁線圈加熱單元的中心位置等，電磁加熱組件極易形成加熱盲區(qū)，影響其加熱效果，最終使得電磁加熱烹飪器具的加熱區(qū)主要集中在至少一個(gè)整圈或者整環(huán)，而難以形成多個(gè)加熱區(qū)或加熱點(diǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明的主要目的是提出一種電磁加熱組件及電磁加熱烹飪器具，旨在減少電磁加熱組件的加熱盲區(qū)，形成多區(qū)強(qiáng)弱分布的加熱區(qū)域。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提出的一種電磁加熱組件，包括：

盤座，具有安裝側(cè)；

第一加熱結(jié)構(gòu)，包括第一線圈加熱單元，所述第一線圈單元設(shè)于所述盤座的安裝側(cè)；以及，

第二加熱結(jié)構(gòu)，設(shè)于所述盤座的安裝側(cè)，且位于所述盤座的加熱盲區(qū)處，以至少對(duì)所述盤座的加熱盲區(qū)進(jìn)行加熱。

可選地，所述第一線圈加熱單元設(shè)有多個(gè)，多個(gè)所述第一線圈加熱單元在所述盤座的周向上間隔設(shè)置，且在對(duì)應(yīng)所述盤座的加熱盲區(qū)處預(yù)留有安裝區(qū)域；

所述第二加熱結(jié)構(gòu)包括加熱裝置，設(shè)于所述安裝區(qū)域。

可選地，所述加熱裝置包括紅外加熱盤或熱盤加熱盤。

可選地，所述加熱裝置包括多個(gè)第二線圈加熱單元，在自所述盤座的中心至邊緣的方向上，所述多個(gè)第一線圈加熱單元與所述多個(gè)第二線圈加熱單元間隔設(shè)置；

其中，多個(gè)所述第二線圈加熱單元在水平面上的投影部分重疊，且投影重疊的兩相鄰第二線圈加熱單元不在同一水平面。

可選地，所述第一線圈加熱單元設(shè)有多個(gè)，至少部分所述第一線圈加熱單元延伸至所述盤座的加熱盲區(qū)處，并在對(duì)應(yīng)加熱盲區(qū)處的投影部分重疊，且投影重疊的兩相鄰第一線圈加熱單元不在同一水平面。

可選地，所述盤座的中心呈朝一側(cè)凸起設(shè)置；

所述電磁加熱組件還包括磁條，設(shè)于所述第一線圈加熱單元遠(yuǎn)離所述盤座的一側(cè)，所述磁條具有靠近所述盤座中心的內(nèi)端和遠(yuǎn)離所述盤座中心的外端、以及朝向所述第一線圈加熱單元的第一側(cè)面，其中，在自所述磁條的外端至內(nèi)端的方向上，所述磁條的第一側(cè)面呈朝向所述第一線圈加熱單元傾斜設(shè)置。

可選地，所述磁條內(nèi)端的厚度大于所述磁條外端的厚度。

可選地，所述盤座包括自所述盤座的中心朝向邊緣延伸的底部，以及自所述底部的周緣朝一側(cè)延伸的側(cè)部；

所述第一線圈加熱單元設(shè)于所述側(cè)部，且朝向所述盤座的中心延伸至至少覆蓋至所述底部和側(cè)部的過渡處。

可選地，所述盤座中心至所述底部周緣的距離為S1，所述盤座中心至所述盤座邊緣的距離為S2，1/3≤S1/S2≤2/3。

可選地，所述第一線圈加熱單元的形狀與所在位置處的所述盤座的安裝側(cè)的形狀相適配。