[發明專利]磁隧道結中勢壘層的制備方法、磁隧道結及其制備方法有效
| 申請號： | 201911425363.9 | 申請日： | 2019-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN113130735B | 公開（公告）日： | 2023-08-04 |
| 發明（設計）人： | 宮俊錄;孟凡濤;蔣信;劉波 | 申請（專利權）人： | 浙江馳拓科技有限公司 |
| 主分類號： | H10N50/80 | 分類號： | H10N50/80;H10N50/10;H10N50/01 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240 | 代理人： | 王曉玲 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 隧道 結中勢壘層 制備 方法 及其 | ||
1.一種磁隧道結中勢壘層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
在參考層或自由層上沉積n次勢壘層材料，形成n層勢壘層薄膜，在相鄰各次沉積所述勢壘層材料的步驟之間，對所述勢壘層材料進行熱處理，2＜n＜10，n為自然數，所述熱處理的時間獨立地滿足0.1～2min，所述各層勢壘層薄膜的沉積速率≤0.2nm/s，
通過對下層勢壘層材料進行所述熱處理，使形成的下層勢壘層薄膜的結構母版能夠起到對所述熱處理之后沉積形成的勢壘層薄膜的誘導作用。
2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在相鄰各次沉積所述勢壘層材料的步驟之間，所述熱處理的溫度獨立地滿足200～450℃。
3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，各層所述勢壘層薄膜的厚度獨立地滿足0.01～2nm。
4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述勢壘層材料為絕緣氧化物。
5.根據權利要求4所述的制備方法，其特征在于，形成各層所述勢壘層薄膜的所述勢壘層材料獨立地選自MgO、MgZnO、MgAlOx、ZnO、TiOx、ZrOx、AlOx和HfOx中的任一種。
6.一種磁隧道結的制備方法，包括以下步驟：
順序形成底電極、參考層、勢壘層、自由層和頂電極，或順序形成頂電極、自由層、勢壘層、參考層和底電極，其特征在于，采用權利要求1至5中任一項所述的制備方法制備形成所述勢壘層。
7.一種磁隧道結，其特征在于，包括順序層疊的底電極、參考層、勢壘層、自由層和頂電極，其中，所述勢壘層由權利要求1至5中任一項所述的制備方法制備而成。
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