[發(fā)明專利]一種發(fā)光二極管芯片及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911425195.3
• 申請(qǐng)日: 2019-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN111106214A
• 公開（公告）日: 2020-05-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊凱;李有群;楊明濤;林洪劍;甄炯炯;張振龍
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L33/12
• 分類號(hào): H01L33/12;H01L33/22;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/00
• 代理公司: 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11449
• 代理人: 蔡純;張靖琳

1.一種發(fā)光二極管芯片，包括：

轉(zhuǎn)移基板和依次層疊在所述轉(zhuǎn)移基板上的粘合層，介質(zhì)膜層，P型歐姆接觸層，P型電流擴(kuò)展層，P型限制層，有源層，N型限制層，N型粗化層，N型歐姆接觸層；以及，

上電極，位于所述N型歐姆接觸層上；

下電極，位于所述轉(zhuǎn)移基板下；

其中，所述N型粗化層與所述N型限制層之間還設(shè)置有應(yīng)力漸變層，所述應(yīng)力漸變層中鋁元素的組分小于所述N型粗化層中鋁元素的組分。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其中，

所述N型粗化層的材質(zhì)為鋁鎵銦磷化合物(Al_xGa_(1-x))_0.5In_0.5P；

所述N型限制層的材質(zhì)為鋁銦磷化合物AlInP；

所述應(yīng)力漸變層的材質(zhì)為鋁鎵銦磷化合物(Al_yGa_(1-y))_0.5In_0.5P。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管芯片，其中，

所述N型粗化層包括組分滿足0.4x0.9的鋁。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管芯片，其中，

所述應(yīng)力漸變層包括組分滿足0.4yx的鋁。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其中，所述上電極半徑大于30微米。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其中，

所述上電極包括多層金屬層。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管芯片，其中，

所述上電極包括依次堆疊設(shè)置的第一金層、金鍺鎳合金層、第二金層、鉑層以及鋁層，所述第一金層與所述N型歐姆接觸層接觸。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其中，

所述發(fā)光二極管芯片為磷化鋁鎵銦發(fā)光二極管芯片。

9.一種發(fā)光二極管芯片的制備方法，其中，包括：

提供基板和轉(zhuǎn)移基板；

在基板上依次形成腐蝕停止層、N型歐姆接觸層、N型粗化層、N型限制層、有源層、P型限制層、P型電流擴(kuò)展層、P型歐姆接觸層；

其中，在形成N型限制層之前，還在N型粗化層之上形成應(yīng)力漸變層。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管芯片的制備方法，其中，

所述N型粗化層的材質(zhì)鋁鎵銦磷化合物為(Al_xGa_(1-x))_0.5In_0.5P，鋁的組分滿足0.4x0.9，并用硅離子或碲離子摻雜；

所述N型限制層的材質(zhì)鋁銦磷化合物為AlInP；

所述應(yīng)力漸變層的材質(zhì)為鋁鎵銦磷化合物(Al_yGa_(1-y))_0.5In_0.5P，鋁的組分滿足0.4yx。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管芯片的制備方法，其中，還包括：

在所述P型歐姆接觸層上依次形成介質(zhì)膜層以及第一金屬層，并依次對(duì)所述介質(zhì)膜層和所述第一金屬層進(jìn)行退火；

在轉(zhuǎn)移基板上形成第二金屬層；

將所述介質(zhì)膜層上的所述第一金屬層與所述轉(zhuǎn)移基板上的第二金屬層鍵合，形成粘合層；

去除所述基板和所述腐蝕停止層暴露出所述N型歐姆接觸層，在所述N型歐姆接觸層上制作上電極并對(duì)上電極進(jìn)行退火；

在所述轉(zhuǎn)移基板下制作下電極并對(duì)所述下電極進(jìn)行退火。