[發明專利]一種納米粒子及其制備方法

在審

• 申請號: 201911425123.9
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN113122266A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 黃子健;蘆子哲
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: C09K11/88
• 分類號: C09K11/88;C09K11/02;B82Y20/00;B82Y40/00;C01B19/04;C01B19/00
• 代理公司: 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;劉芙蓉

1.一種納米粒子的制備方法，其特征在于，包括步驟：

提供若干原始納米粒子；組成所述原始納米粒子的元素包括陽離子元素和陰離子元素，組成所述原始納米粒子的元素中的陰離子元素部分或全部被氧化；

采用還原性有機物對所述原始納米粒子進行還原處理，得到所述納米粒子。

2.根據權利要求1所述的納米粒子的制備方法，其特征在于，采用還原性有機物對所述原始納米粒子進行還原處理，得到所述納米粒子的步驟，包括：

將若干所述原始納米粒子、還原性有機物與有機溶劑混合，進行反應，得到所述納米粒子。

3.根據權利要求1所述的納米粒子的制備方法，其特征在于，所述陽離子元素包括Zn、Hg、Cd元素中的至少一種；和/或

所述陰離子元素包括Se、Te元素中的至少一種；和/或

所述原始納米粒子為CdSe量子點、CdTe量子點、CdSeS量子點、CdSeTe量子點、CdSTe量子點、ZnSe量子點、ZnTe量子點、ZnSeS量子點、ZnSeTe量子點、ZnSTe量子點、HgSe量子點、HgTe量子點、HgSeS量子點、HgSeTe量子點、HgSTe量子點、CdZnSe量子點、CdZnTe量子點中的一種。

4.根據權利要求1所述的納米粒子的制備方法，其特征在于，所述原始納米粒子包括本體部分和至少部分包裹所述本體部分的外層，組成所述本體部分的元素包括所述陰離子元素，和/或者組成所述外層的元素包括所述陰離子元素。

5.根據權利要求4所述的納米粒子的制備方法，其特征在于，組成所述本體部分的元素與組成所述外層的元素相同，或者組成所述本體部分的元素與組成所述外層的元素不相同。

6.根據權利要求4所述的納米粒子的制備方法，其特征在于，所述本體部分和所述外層構成核殼結構，所述本體部分構成所述核殼結構的核，所述外層構成所述核殼結構的殼。

7.根據權利要求6所述的納米粒子的制備方法，其特征在于，所述本體部分具有核殼結構，組成所述外層的元素包括所述陰離子元素。

8.根據權利要求6所述的納米粒子的制備方法，其特征在于，所述外層具有貫穿所述外層的若干通孔，組成所述本體部分的元素包括所述陰離子元素，和/或組成所述外層的元素包括所述陰離子元素。

9.根據權利要求4所述的納米粒子的制備方法，其特征在于，所述本體部分包括CdSe材料、CdTe材料、CdSeS材料、CdSeTe材料、CdSTe材料、ZnSe材料、ZnTe材料、ZnSeS材料、ZnSeTe材料、ZnSTe材料、HgSe材料、HgTe材料、HgSeS材料、HgSeTe材料、HgSTe材料、CdZnSe材料、CdZnTe材料中的一種；

或者所述外層包括CdSe材料、CdTe材料、CdSeS材料、CdSeTe材料、CdSTe材料、ZnSe材料、ZnTe材料、ZnSeS材料、ZnSeTe材料、ZnSTe材料、HgSe材料、HgTe材料、HgSeS材料、HgSeTe材料、HgSTe材料、CdZnSe材料、CdZnTe材料中的一種。

10.根據權利要求1所述的納米粒子的制備方法，其特征在于，所述還原性有機物包括三丁基膦、三辛基膦、三(三甲基硅基)磷、三(二甲胺基)膦、肼、偏二甲肼、甲基肼和檸檬酸中的至少一種。

11.根據權利要求2所述的納米粒子的制備方法，其特征在于，若干所述原始納米粒子與還原性有機物的質量比為100:(2～20)；和/或

所述反應的溫度為25℃～200℃；和/或

所述反應的時間為0.5h～12h；和/或

所述有機溶劑包括氯仿、甲苯、正己烷、正辛烷中的至少一種。

12.一種納米粒子，其特征在于，采用權利要求1-11任一項所述的納米粒子的制備方法制備得到。