[發(fā)明專利]一種EEPROM的數據讀/寫方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911424966.7 | 申請日: | 2019-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN111179993A | 公開(公告)日: | 2020-05-19 |
| 發(fā)明(設計)人: | 李磊;徐楠;張雷 | 申請(專利權)人: | 蘇州綠控傳動科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G11C16/10 | 分類號: | G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司: | 北京聯瑞聯豐知識產權代理事務所(普通合伙) 11411 | 代理人: | 周超 |
| 地址: | 215200 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 eeprom 數據 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種EEPROM的數據讀/寫方法,包括以下步驟:設定本次讀/寫操作所用時間;給定本次讀/寫操作的地址和數據剩余長度;判斷數據剩余長度與固定讀取長度或數據剩余長度與EEPORM芯片當前頁的剩余長度的大小;若數據剩余長度大于EEPORM芯片當前頁的剩余長度,則本次操作中可寫的數據長度為EEPORM芯片當前頁的剩余長度,否則可寫的數據長度為數據剩余長度;該方法通過將待讀/寫數據拆分成多個數據包,在固定的時間片內按順序分批讀/寫,可以實現大量數據的實時交互,不受時間和工況限制,可以按需隨時讀/寫,且連續(xù)讀/寫EEPROM的過程中,不會打斷其他代碼連續(xù)運行。
技術領域
本發(fā)明涉及數據處理技術領域,特別涉及一種EEPROM的數據讀/寫方法。
背景技術
EEPROM是指帶電可擦可編程只讀存儲器,其可通過高于普通電壓的作用來擦除和重編程,現有的EEPROM的數據讀寫方法都是對于數據一次性的進行讀寫,期間是無法打斷的,現有的EEPROM讀/寫操作一般在主控芯片上電初始化或下電前進行,由于EEPROM芯片本身特性,主控芯片向EEPROM芯片一次性讀/寫大量數據時,會引起讀/寫時間過長的問題。
發(fā)明內容
為了解決現有的EEPROM的數據讀寫時需要耗費大量時間無法打斷的問題,本發(fā)明提供一種不受時間和工況限制,可以按需隨時讀寫的方法。
為了實現上述目的,本發(fā)明提供的技術方案是:一種EEPROM的數據讀/寫方法,包括以下步驟:設定本次讀/寫操作所用時間;給定本次讀/寫操作的地址和數據剩余長度;判斷數據剩余長度與固定讀取長度或數據剩余長度與EEPORM芯片當前頁的剩余長度的大??;若數據剩余長度大于固定讀取長度,則本次操作中可讀的數據長度為固定讀取長度,否則可讀的數據長度為數據剩余長度;若數據剩余長度大于EEPORM芯片當前頁的剩余長度,則本次操作中可寫的數據長度為EEPORM芯片當前頁的剩余長度,否則可寫的數據長度為數據剩余長度;進行本次讀/寫操作。
在上述數據讀/寫方法中,當本次操作為寫操作時,在給定本次讀/寫操作的地址和數據剩余長度之前需要判斷該次寫操作是否是第一次,若為第一次操作,則給定EEPROM芯片寫操作的首地址和待寫入數據的總長度,否則需要判斷上次寫操作是否完成;若上次寫操作沒有完成,則繼續(xù)重新判斷是否是第一次進行寫操作并計數,當計數達到閾值后終止寫操作,若上次寫操作已經完成,則繼續(xù)接下來的步驟。
在上述數據讀/寫方法中,作為優(yōu)選的技術方案,所述固定讀取長度為EEPORM芯片每頁的數據長度。
進一步的,所述當前頁的剩余長度為EEPROM芯片當前頁還可以儲存的數據量。
作為優(yōu)選的技術方案,每次讀/寫操作所用時間為1-5ms。
在上述技術方案中,當本次讀/寫操作結束后重復進行上述步驟直至數據剩余長度為0。
在上述技術方案的基礎上,進一步的,當數據剩余長度為0時,所有標志和計數器復位。
本發(fā)明相對于現有技術的有益效果是:該方法通過將待讀/寫數據拆分成多個數據包,在固定的時間片內按順序分批讀/寫,可以實現大量數據的實時交互,不受時間和工況限制,可以按需隨時讀/寫,且連續(xù)讀/寫EEPROM的過程中,不會打斷其他代碼連續(xù)運行。
附圖說明
圖1是寫入數據至EEPROM中的流程圖;
圖2是讀取EEPROM中數據的流程圖。
具體實施方式
下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式作進一步說明。在此需要說明的是,對于這些實施方式的說明用于幫助理解本發(fā)明,但并不構成對本發(fā)明的限定。此外,下面所描述的本發(fā)明各個實施方式中所涉及的技術特征只要彼此之間未構成沖突就可以相互組合。
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