[發明專利]一種紫外高反射率的復合電極及其制備方法

有效

• 申請號: 201911424903.1
• 申請日: 2019-12-30
• 公開（公告）號: CN111129257B
• 公開（公告）日: 2021-10-08
• 發明（設計）人: 易翰翔;李玉珠;武杰;張洪安;陳慧秋
• 申請（專利權）人: 廣東德力光電有限公司
• 主分類號: H01L33/46
• 分類號: H01L33/46;H01L33/42
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司 44202
• 代理人: 顏希文

1.一種紫外高反射率的復合電極，其特征在于，包括N型層、設于所述N型層上方的量子阱及設于所述量子阱上方的P型層，所述P型層上方設有多個獨立的ITO圓柱，所述ITO圓柱表面設有連續的Al薄膜；所述Al薄膜在ITO圓柱上開圓孔，所述圓孔的直徑小于ITO圓柱直徑；

所述Al薄膜和ITO圓柱表面還設有與ITO圓柱歐姆接觸的金屬電極圓柱；所述Al薄膜和金屬電極表面設有絕緣反射層；所述絕緣反射層刻蝕有導電孔；所述絕緣發射層表面還設有焊接金屬電極，與導電金屬電極通過導電孔進行連接。

2.如權利要求1所述的紫外高反射率的復合電極，其特征在于，所述ITO圓柱的直徑為10μm-100μm。

3.如權利要求1所述的紫外高反射率的復合電極，其特征在于，所述金屬電極圓柱的直徑大于ITO圓柱直徑。

4.如權利要求1所述的紫外高反射率的復合電極，其特征在于，所述金屬電極圓柱的材料為Cr、Al、Ti、Pt、Au中的一種。

5.如權利要求1所述的紫外高反射率的復合電極，其特征在于，所述絕緣反射層的材料為DBR，所述焊接金屬電極的材料為Au或AuSn合金。

6.如權利要求1~5任一項所述的紫外高反射率的復合電極的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

（1）N型層漏出：對P型層和量子阱進行刻蝕；

（2）在P型層表面鍍ITO薄膜，然后對ITO薄膜表面進行勻膠曝光顯影，形成多個圓柱形光刻膠，再進行酸性刻蝕ITO薄膜，得到多個獨立的ITO圓柱；

（3）在P型層和ITO表面進行勻膠曝光顯影，在ITO圓柱表面形成光刻膠圓柱，用電子束蒸發、熱蒸發或濺鍍制造Al薄膜，再進行剝離去膠，形成連續Al薄膜，且Al薄膜在ITO圓柱上開出圓孔，所述圓孔的孔徑小于ITO圓柱直徑；

（4）在Al薄膜和ITO圓柱表面制作與ITO圓柱歐姆接觸的金屬電極圓柱；

（5）在Al薄膜和金屬電極表面制作絕緣反射層；

（6）在絕緣反射層刻蝕導電孔；

（7）在絕緣發射層表面制作焊接金屬電極，與導電金屬電極通過導電孔進行連接。

7.如權利要求6所述的紫外高反射率的復合電極的制備方法，其特征在于，所述步驟（1）中，用ICP對P型層和量子阱進行刻蝕，刻蝕的深度為1200-1400nm。

8.如權利要求6所述的紫外高反射率的復合電極的制備方法，其特征在于，所述步驟（2）中，在P型層表面鍍ITO薄膜，ITO薄膜的厚度為30-120nm，ITO薄膜層合金后透光率＞96%。