[發明專利]一種太陽能電池、組件結構及其制備方法在審
| 申請號: | 201911424856.0 | 申請日: | 2019-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN111081795A | 公開(公告)日: | 2020-04-28 |
| 發明(設計)人: | 韓安軍;劉正新;孟凡英;張麗平;石建華;杜俊霖 | 申請(專利權)人: | 中威新能源(成都)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224;H01L31/05;H01L31/077;H01L31/20 |
| 代理公司: | 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230 | 代理人: | 趙宇 |
| 地址: | 610000 四川省成都市雙流區中國(*** | 國省代碼: | 四川;51 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 太陽能電池 組件 結構 及其 制備 方法 | ||
1.一種太陽能電池結構,包括藍膜片和金屬電極,其特征在于,藍膜片正面和背面均無金屬電極柵線,正面與背面之間依次設置有正面透明導電薄膜(101)、N型摻雜氫化非晶硅層(102)、正面本征氫化非晶硅層(103)、晶體硅層(104)、背面本征氫化非晶硅層(105)、P型摻雜氫化非晶硅層(106)、背面透明導電薄膜(107),太陽能電池設置正面帶開口的金屬電極(108)和背面帶開口的金屬電極(109),金屬電極包括細柵線和寬柵線,金屬電極在寬柵線位置預留開口并加寬。
2.一種太陽能電池組件結構,其特征在于,包括正面和背面,正面與背面之間依次設置有正面帶開口的金屬電極(108)、正面透明導電薄膜(101)、N型摻雜氫化非晶硅層(102)、正面本征氫化非晶硅層(103)、晶體硅層(104)、背面本征氫化非晶硅層(105)、P型摻雜氫化非晶硅層(106)、背面透明導電薄膜(107)、背面帶開口的金屬電極(109),正面和背面均設置有金屬電極,金屬電極包括細柵線和寬柵線,金屬電極在寬柵線位置預留開口并加寬,在正面和背面寬柵線預留開口內設置有金屬焊帶,金屬焊帶連接前一個子電池正面與后一個子電池背面。
3.一種太陽能電池制備方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1:制備太陽能電池藍膜片,藍膜片的正面和背面無金屬柵線;
S2:形成金屬電極于太陽能電池的背面和正面,金屬電極由細柵線和寬柵線構成,金屬電極在寬柵線位置預留一定寬度的開口;
S3:鋪設組件封裝玻璃、封裝膠膜,在封裝膠膜上定位擺放金屬焊帶,在金屬焊帶上擺放制備有開口金屬電極的電池片,金屬電極開口位置與金屬焊帶相對應,在電池片的表面擺放金屬焊帶,焊帶放置于電池片金屬電極開口位置,然后擺放封裝膠膜,背板;
S4:將鋪設的堆疊物放置于層壓機中,加熱加壓,進行層壓制備組件。
4.根據權利要求3所述的太陽能電池制備方法,其特征在于,所述開口尺寸大于等于組件所用金屬焊帶直徑或寬度,開口的形狀包括圓弧形、矩形、梯形、多邊形。
5.根據權利要求3所述的太陽能電池制備方法,其特征在于,所述金屬焊帶為低溫合金涂層包覆銅帶,金屬焊帶的截面形狀包括圓弧形、矩形、梯形、多邊形。
6.根據權利要求3所述的太陽能電池制備方法,其特征在于,所用金屬焊帶為高導電性材料,包括Ag、Cu、Ni、Al及其合金。
7.根據權利要求3所述的太陽能電池制備方法,其特征在于,所述太陽電池金屬電極,采用絲網印刷、電鍍、噴墨打印方式制備。
8.根據權利要求3所述的太陽能電池制備方法,其特征在于,所述寬柵線的寬度尺寸為細柵線寬度的1-10倍。
9.根據權利要求3所述的太陽能電池制備方法,其特征在于,所述金屬焊帶為低溫合金涂層包覆銅帶,低溫合金包括錫鉛鉍、錫鉍銀、錫鉍銦,合金熔點50-200℃。
10.根據權利要求3所述的太陽能電池制備方法,其特征在于,所述堆疊物在層壓機中層壓,層壓溫度大于低溫焊帶的熔點。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中威新能源(成都)有限公司,未經中威新能源(成都)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911424856.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種用于鐵紅廢水處理用裝置及其使用方法
- 下一篇:一種激光器裝載箱的清洗方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





