[發明專利]體聲波諧振器及其封裝方法、濾波器、電子設備

有效

• 申請號: 201911424815.1
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111262541B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 徐洋;龐慰;郝龍;張孟倫
• 申請（專利權）人: 諾思（天津）微系統有限責任公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H9/13;H03H9/02;H03H9/17;H03H9/54
• 代理公司: 北京金誠同達律師事務所 11651
• 代理人: 湯雄軍

1.一種體聲波諧振器，包括：

頂電極；

壓電層；

底電極；

聲學鏡；以及

密封層，

其中：

所述頂電極包括第一頂電極和第二頂電極，所述第一頂電極貼附于所述壓電層，在諧振器的厚度方向上間隙層形成在第一頂電極與第二頂電極之間；

所述密封層至少覆蓋所述諧振器的有效區域的上側以構成諧振器的封裝層。

2.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其中，

所述第二頂電極在諧振器的有效區域內設置有多個頻率修整通道，所述頻率修整通道貫穿所述第二頂電極，所述頻率修整通道的下開口與間隙層相通。

3.根據權利要求2所述的體聲波諧振器，其中，

所述諧振器還包括保護層，所述保護層覆蓋所述頻率修整通道的上開口，所述密封層覆蓋所述保護層。

4.根據權利要求3所述的體聲波諧振器，其中，

所述保護層覆蓋所述第二頂電極的上表面。

5.根據權利要求3所述的體聲波諧振器，其中，

所述第二頂電極上表面設置有第二鈍化層，且所述頻率調整通道貫穿所述第二鈍化層，所述保護層覆蓋所述第二鈍化層的至少一部分。

6.根據權利要求3所述的體聲波諧振器，其中：

所述保護層的材料為聚酰亞胺。

7.根據權利要求2-6中任一項所述的體聲波諧振器，其中，

所述多個頻率修整通道呈預定圖案布置。

8.根據權利要求2-6中任一項所述的體聲波諧振器，其中，

所述第一頂電極的上表面形成有與所述頻率調整通道相對應的若干凹坑。

9.根據權利要求2-6中任一項所述的體聲波諧振器，其中，

所述第一頂電極上表面沉積有第一鈍化層。

10.根據權利要求9所述的體聲波諧振器，其中，

所述第一鈍化層形成有與所述頻率調整通道相對應的若干凹坑。

11.根據權利要求1所述的體聲波諧振器，其中：

所述密封層的材料為全氟代三氯硅烷或氮化硅。

12.一種濾波器，包括權利要求1-11中任一項所述的體聲波諧振器。

13.一種電子設備，包括根據權利要求1-11中任一項所述的體聲波諧振器或權利要求12所述的濾波器。

14.一種體聲波諧振器的封裝方法，所述體聲波諧振器包括諧振器器件，所述諧振器器件包括：頂電極；壓電層；底電極；和聲學鏡，其中：所述頂電極包括第一頂電極和第二頂電極，所述第一頂電極貼附于所述壓電層，在諧振器的厚度方向上間隙層形成在第一頂電極與第二頂電極之間，所述方法包括步驟：

在所述諧振器器件的上側覆蓋密封層，所述密封層構成所述諧振器器件的封裝層。

15.根據權利要求14所述的方法，其中：

所述第二頂電極在諧振器的有效區域內設置有多個頻率修整通道，所述頻率修整通道貫穿所述第二頂電極，所述頻率修整通道的下開口與間隙層相通；

所述方法還包括步驟：在第二頂電極的上表面設置保護層，所述保護層覆蓋所述頻率修整通道的上開口；且

所述密封層覆蓋所述保護層。

16.根據權利要求14所述的方法，其中：

所述第二頂電極在諧振器的有效區域內設置有多個頻率修整通道，所述第二頂電極上表面設置第二鈍化層，所述頻率修整通道貫穿所述第二頂電極和所述第二鈍化層，所述頻率修整通道的下開口與間隙層相通；

所述方法還包括步驟：在所述第二鈍化層的上表面的至少一部分設置保護層，所述保護層覆蓋所述頻率修整通道的上開口；且

所述密封層覆蓋所述保護層。