[發明專利]具有疊置單元的半導體結構及制造方法、電子設備

有效

• 申請號: 201911424781.6
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111130493B
• 公開（公告）日: 2021-03-12
• 發明（設計）人: 溫攀;龐慰;張蘭月;張巍;楊清瑞;張孟倫
• 申請（專利權）人: 諾思（天津）微系統有限責任公司
• 主分類號: H03H9/02
• 分類號: H03H9/02;H03H9/13;H03H9/205;H03H9/54;H03H9/70;H03H3/02;H03H3/04
• 代理公司: 北京金誠同達律師事務所 11651
• 代理人: 湯雄軍

本發明涉及一種具有疊置單元的半導體結構，包括：保護層；多個單元，在保護層的下表面沿保護層的厚度方向依次疊置，每一個單元包括基底，其中：位于保護層與所述多個單元中的最下層單元之間的至少一個中間單元，中間單元的基底的上表面設置有多個鍵合結構，每個鍵合結構從下往上依次包括阻擋層和上金屬鍵合層，阻擋層的材料不同于其所設置的基底的材料以及上金屬鍵合層的材料；中間單元具有穿過其基底的多個中間基底導電通孔，中間基底導電通孔向上穿過對應鍵合結構的阻擋層而與上金屬鍵合層電連接，所述中間基底導電通孔的下端與在所述中間單元下方的對應單元電連接。本發明還涉及疊置單元的半導體結構的制造方法及具有該結構的電子設備。

技術領域

本發明的實施例涉及半導體領域，尤其涉及一種半導體結構及其制造方法，以及一種具有該半導體結構的電子設備。

背景技術

隨著當今無線通訊技術的飛速發展，小型化便攜式終端設備的應用也日益廣泛，因而對于高性能、小尺寸的射頻前端模塊和器件的需求也日益迫切。近年來，以例如為薄膜體聲波諧振器(Film Bulk Acoustic Resonator，簡稱FBAR)為基礎的濾波器、雙工器等濾波器件越來越為市場所青睞。一方面是因為其插入損耗低、過渡特性陡峭、選擇性高、功率容量高、抗靜電放電(ESD)能力強等優異的電學性能，另一方面也是因為其體積小、易于集成的特點所致。

不過，現實中對于濾波器件的尺寸存在進一步減小的需要。

發明內容

為緩解或解決使用現有技術中的上述問題的至少一個方面，提出本發明。

根據本發明的實施例的一個方面，提出了一種具有疊置單元的半導體結構，包括：

保護層，保護層具有上表面與下表面；

多個單元，在保護層的下表面沿保護層的厚度方向依次疊置，每一個單元包括基底，所述多個單元的最上側單元的基底與保護層之間限定第一容納空間，相鄰疊置的上單元與下單元的基底之間限定第二容納空間，至少一個單元的基底設置有芯片，所述芯片位于對應的容納空間內，

其中：

位于所述保護層與所述多個單元中的最下層單元之間的至少一個中間單元，所述中間單元的基底的上表面設置有多個鍵合結構，每個鍵合結構從下往上依次包括阻擋層和上金屬鍵合層，所述阻擋層的材料不同于其所設置的基底的材料以及所述上金屬鍵合層的材料；

所述中間單元具有穿過其基底的多個中間基底導電通孔，所述中間基底導電通孔向上穿過對應鍵合結構的阻擋層而與上金屬鍵合層電連接，所述中間基底導電通孔的下端與在所述中間單元下方的對應單元電連接。

本發明的實施例還涉及一種具有疊置單元的半導體結構的制造方法，包括步驟：

提供保護層，保護層具有上表面與下表面；

提供多個單元，每一個單元包括基底，所述多個單元包括位于所述保護層與所述多個單元中的最下層單元之間的至少一個中間單元；以及

在保護層的下表面在所述保護層的厚度方向上依次疊置所述多個單元，所述多個單元的最上側單元的基底與保護層之間限定第一容納空間，相鄰疊置的上單元與下單元的基底之間限定第二容納空間，至少一個單元的基底設置有芯片，所述芯片位于對應的容納空間內，

其中：

提供中間單元的步驟包括：

在所述中間單元的基底的上表面設置多個鍵合結構，所述鍵合結構從下往上依次包括阻擋層和上鍵合金屬層，所述阻擋層的材料不同于其所設置的基底的材料以及所述上金屬鍵合層的材料；

在所述中間單元的基底的下表面設置多個凸起結構，所述凸起結構經由減薄所述中間單元的基底形成，每一個凸起結構與所述鍵合結構對應且在中間單元的基底的厚度方向上對齊；