[發明專利]開放通道存儲設備的操作方法在審
| 申請號: | 201911424622.6 | 申請日: | 2019-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN111722793A | 公開(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發明(設計)人: | 金玟澈;李鐘沅;芮敬旭;高旼奭;魯良宇;曹成鉉 | 申請(專利權)人: | 三星電子株式會社 |
| 主分類號: | G06F3/06 | 分類號: | G06F3/06;G06F11/10 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人: | 楊姍 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 開放 通道 存儲 設備 操作方法 | ||
一種開放通道存儲設備被配置為由包括壞塊管理器的主機來控制,所述開放通道存儲設備包括緩沖存儲器和非易失性存儲器設備。開放通道存儲設備的操作方法包括:在主機的控制下執行正常操作;在執行正常操作的同時,檢測緊接著與包括在非易失性存儲器設備中的多個存儲器塊中的第一數據塊相關聯的編程失敗之后的突然斷電;響應于檢測到的突然斷電,將存儲在緩沖存儲器中的多個用戶數據轉儲到多個存儲器塊中的轉儲塊;檢測通電;以及響應于檢測到的通電,對存儲在轉儲塊中的多個用戶數據執行數據恢復操作。
相關申請的交叉引用
本申請要求于2019年3月20日在韓國知識產權局遞交的韓國專利申請No.10-2019-0031649的優先權,其公開內容通過整體引用并入本文中。
技術領域
本文中描述的本發明構思的示例實施例涉及半導體存儲器,更具體地,涉及開放通道存儲設備的操作方法。
背景技術
半導體存儲器設備被分類為易失性存儲器設備(例如,靜態隨機存取存儲器(SRAM)或動態隨機存取存儲器(DRAM))或非易失性存儲器設備(例如,閃存設備、相變RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、電阻RAM(RRAM)或鐵電RAM(FRAM)),其中在所述易失性存儲器設備中,當電源關閉時,存儲的數據消失,并且在所述非易失性存儲器設備中,即使在電源關閉時,也可以保留存儲的數據。
閃存設備被廣泛用作大容量存儲介質。然而,由于閃存設備的物理特性,因此可能期望用于有效地管理閃存設備的單獨的管理裝置。基于閃存設備的固態驅動器(SSD)的閃存轉換層(FTL)被廣泛用作管理裝置。在傳統的SSD中,閃存轉換層已由SSD的內部控制器來執行。然而,如今,可能期望被配置為使得主機控制SSD的整體操作的主機級閃存轉換層。
發明內容
本發明構思的示例實施例提供了具有改善的可靠性的開放通道存儲設備的操作方法。
至少一些示例實施例涉及被配置為由主機來控制的開放通道存儲設備,所述開放通道存儲設備包括緩沖存儲器和非易失性存儲器設備。開放通道存儲設備的操作方法包括:在主機的控制下執行正常操作;在執行正常操作的同時,檢測緊接著與多個非易失性存儲器設備中包括的多個存儲器塊中的第一數據塊相關聯的編程失敗之后的突然斷電;響應于檢測到的突然斷電,將存儲在緩沖存儲器中的多個用戶數據轉儲到多個存儲器塊中的轉儲塊;檢測通電;以及響應于檢測到的通電,對存儲在轉儲塊中的多個用戶數據執行數據恢復操作。
至少一些示例實施例涉及被配置為由主機來控制的開放通道存儲設備,所述開放通道存儲設備包括緩沖存儲器和非易失性存儲器設備。開放通道存儲設備的操作方法包括:在主機的控制下執行正常操作;在執行正常操作的同時檢測突然斷電;響應于檢測到的突然斷電,將存儲在緩沖存儲器中的多個用戶數據轉儲到包括在非易失性存儲器設備中的多個存儲器塊中的轉儲塊;檢測通電;響應于檢測到的通電,對來自轉儲塊的多個用戶數據執行第一數據恢復操作;在第一數據恢復操作期間檢測與多個存儲器塊中的第一數據塊相關聯的編程失敗;以及響應于檢測到的編程失敗,執行與第一數據恢復操作不同的第二數據恢復操作。
至少一些示例實施例涉及被配置為由包括壞塊管理器的主機來控制的開放通道存儲設備,并且所述開放通道存儲設備包括緩沖存儲器和非易失性存儲器設備。開放通道存儲設備的操作方法包括:在主機的控制下執行正常操作;在正常操作期間檢測正常斷電;響應于檢測到的正常斷電,執行數據刷新操作,即,將存儲在緩沖存儲器中的多個用戶數據分別存儲在非易失性存儲器設備中包括的多個存儲器塊中的對應數據塊中;在數據刷新操作期間檢測與包括在非易失性存儲器設備中的多個存儲器塊中的第一數據塊相關聯的編程失敗,響應于檢測到的編程失敗,將錯誤信息發送到主機;基于要存儲在多個存儲器塊中的第一存儲器塊中的第一用戶數據、與第一用戶數據相對應的第二用戶數據、以及至少一個虛假數據來生成奇偶校驗數據;以及將奇偶校驗數據存儲在多個存儲器塊中的對應奇偶校驗塊中。
附圖說明
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