[發明專利]半導體材料生產系統及生產方法

有效

• 申請號: 201911424593.3
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111172583B
• 公開（公告）日: 2021-05-18
• 發明（設計）人: 喬焜;高明哲;林岳明
• 申請（專利權）人: 上海璽唐半導體科技有限公司
• 主分類號: C30B7/10
• 分類號: C30B7/10;C30B29/40
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 杜娟娟

1.一種半導體材料生產系統，其特征在于，包括：清洗裝置、干燥裝置、充氨裝置、抽真空裝置、多個反應釜和多組輸送管道；

所述輸送管道包括清洗管道和供應管道，所述清洗裝置通過所述清洗管道輸送清洗液至所述反應釜，所述清洗管道包括清洗主管道和連接于所述清洗主管道上的多個清洗管道支路，所述清洗管道支路的數量與所述反應釜的數量相同，每個所述清洗管道支路的出口與所述反應釜的開口一一對應；

所述充氨裝置、所述干燥裝置和所述抽真空裝置連接至所述供應管道，所述供應管道包括供應主管道和連接于所述供應主管道上的多個供應管道支路，每個所述供應管道支路的出口與所述反應釜的開口一一對應。

2.根據權利要求1所述的半導體材料生產系統，其特征在于，所述清洗裝置包括純水槽和溶液槽；

所述清洗管道包括第一組管道和第二組管道，所述第一組管道包括第一清洗主管道和連接所述第一清洗主管道的多個第一清洗管道支路，每個所述第一清洗管道支路的出口與每個所述反應釜一一對應，所述第二組管道包括第二清洗主管道和連接所述第二清洗主管道的多個第二清洗管道支路，每個所述第二清洗管道支路的出口與每個所述反應釜的開口一一對應；

所述純水槽通過所述第一組管道連接至所述每個所述反應釜，所述溶液槽通過所述第二組管道連接至每個所述反應釜。

3.根據權利要求2所述的半導體材料生產系統，其特征在于，所述第一清洗主管道上還設置有進水泵，每個所述第一清洗管道支路上設置有進水閥。

4.根據權利要求3所述的半導體材料生產系統，其特征在于，所述第二清洗主管道上還設置有進液泵，每個所述第二清洗管道支路上還設置有進液閥。

5.根據權利要求4所述的半導體材料生產系統，其特征在于，所述輸送管道還包括循環管道，所述循環管道包括循環主管道和連接所述循環主管道的多個循環支路，所述循環主管道連接至所述溶液槽，所述循環支路的端口與所述反應釜的開口一一對應。

6.根據權利要求5所述的半導體材料生產系統，其特征在于，所述循環支路上設置有循環泵和循環閥，所述循環泵用于抽取所述反應釜中的清洗液。

7.根據權利要求6所述的半導體材料生產系統，其特征在于，所述充氨裝置、所述干燥裝置和所述抽真空裝置通過四通閥門連接至所述供應管道。

8.根據權利要求7所述的半導體材料生產系統，其特征在于，還包括質量流量計，所述充氨裝置通過所述質量流量計連接所述四通閥門。

9.根據權利要求8所述的半導體材料生產系統，其特征在于，還包括控制裝置，用于控制所述進水泵、進水閥、進液泵、進液閥、循環泵、循環閥、真空泵和所述四通閥門工作。

10.一種半導體材料生產方法，其特征在于，利用權利要求1-9中任一項所述的半導體材料生產系統生產，所述方法包括：

清洗反應釜并對所述反應釜進行干燥處理；

向所述反應釜內填充生長材料；

對所述反應釜抽真空；

向所述反應釜內充氨；

加熱所述反應釜并保溫保壓，以使所述反應釜內生長結晶。