[發明專利]QLED器件、顯示裝置及QLED器件的制備方法

有效

• 申請號: 201911424141.5
• 申請日: 2019-12-30
• 公開（公告）號: CN111129333B
• 公開（公告）日: 2022-08-19
• 發明（設計）人: 眭俊
• 申請（專利權）人: 廣東聚華印刷顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/56;G02F1/13357;B82Y30/00
• 代理公司: 深圳市世紀恒程知識產權代理事務所 44287
• 代理人: 宋朝政

本發明公開了一種QLED器件、顯示裝置及QLED器件的制備方法，其中，QLED器件包括依次層疊設置的基板、底電極、混合發光層和頂電極，混合發光層包括阻隔層，所述阻隔層形成有多個向內凹陷的凹坑，所述凹坑內填充有量子點發光材料，所述阻隔層由無機納米材料制成，所述量子點發光材料包括核殼量子點，所述量子點發光材料與所述阻隔層之間為物理混合，所述無機納米材料的禁帶寬度均大于所述核殼量子點的核材料的禁帶寬度。本發明的阻隔層有效隔離量子點并增大了量子點之間的距離，減少了量子點之間的能量轉移；由于量子點發光材料與阻隔層之間為物理混合，沒有對量子點進行化學處理，不改變量子點的化學結構，因此不會影響量子點發光產率。

技術領域

本發明涉及QLED領域，具體涉及一種QLED器件、顯示裝置及QLED器件的制備方法。

背景技術

量子點是一種在三個維度尺寸上均被限制在納米級的特殊材料，這種顯著的量子限域效應使得量子點具有了諸多獨特的納米性質：發射波長連續可調、發光波長窄、吸收光譜寬、發光強度高、熒光壽命長以及生物相容性好等。這些特點使得量子點在生物標記、平板顯示、固態照明、光伏太陽能燈領域均具有廣泛的應用前景。

QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes，量子點發光二極管)是將量子點制作成量子點薄層，并將該層置入于液晶顯示器(LCD)的背光模組中，相較于未使用量子點薄層顯示器更能降低背光亮度落失及RBG彩色濾光片的色彩串擾，進而得到更佳的背光利用率及具有提升顯示色域空間的優點。一般在QLED器件結構中，量子點作為發光層，器件制備后量子點從溶液狀態轉變為致密的膜層狀態，量子點之間的距離減小，在量子點之間會發生福斯特共振能量轉移(TFER，Forster resonant energy transfer)，而能量轉移是導致非輻射復合(FERT，non-radiative recombination)的主要原因，導致QLED器件發光效率顯著降低，限制了QLED器件的性能。為了減少非輻射復合，即減少量子點之間的能量轉移，需要增大量子點之間的距離，目前主要采取兩種方式：增加量子點的殼的厚度以及交換量子點的配體，而這兩種方式均需要對量子點進行化學處理，導致QLED器件的發光效率降低。

發明內容

本發明的主要目的是提供一種QLED器件、顯示裝置及QLED器件的制備方法，旨在解決為了減少量子點之間的能量轉移需改變量子點的化學結構，導致量子點發光產率降低的問題。

為實現上述目的，本發明提出的一種QLED器件，包括依次層疊設置的基板、底電極、混合發光層和頂電極，所述混合發光層包括阻隔層，所述阻隔層形成有多個向內凹陷的凹坑，所述凹坑內填充有量子點發光材料，所述阻隔層的原料包括無機納米材料，所述量子點發光材料包括核殼量子點，所述量子點發光材料與所述阻隔層之間為物理混合，所述無機納米材料的禁帶寬度大于所述核殼量子點的核材料的禁帶寬度。

優選地，凹坑為條狀結構，多個所述凹坑均勻間隔排布。

優選地，所述凹坑的寬度為20nm～500nm，相鄰兩個所述凹坑之間的間距為30nm～100um。

優選地，凹坑為通孔結構，所述量子點發光材料填充于所述通孔中。

優選地，所述阻隔層的孔隙率為60～80％。

優選地，所述核殼量子點的核材料為CdSe、CdS、ZnSe、ZnS、CdTe、CdZnS、CdZnSe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdSeSTe、ZnSeSTe、CdZnSeSTe、InP、InAs和InAsP中的一種或任意幾種，所述核殼量子點的殼材料為CdS、ZnSe、ZnS、CdSeS和ZnSeS中的一種或任意幾種。

優選地，所述無機納米材料為CdS、ZnSe、ZnS、CdSeS和ZnSeS中的一種或任意幾種。