[發明專利]一種波導結構的神經突觸及其制備方法有效
| 申請號： | 201911424036.1 | 申請日： | 2019-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN111142186B | 公開（公告）日： | 2021-02-12 |
| 發明（設計）人： | 黃北舉;張歡;程傳同;毛旭瑞;陳弘達 | 申請（專利權）人： | 中國科學院半導體研究所 |
| 主分類號： | G02B6/122 | 分類號： | G02B6/122;G02B6/12 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 王中葦 |
| 地址： | 100083 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 波導 結構 神經 突觸 及其 制備 方法 | ||
1.一種波導結構的神經突觸，包括：脊形波導層（1）、狹縫結構（2）、相變材料（3）、平板波導層（4）、凹槽結構（5）、襯底（6）、波導隔離層（7）以及保護層（8）；
所述脊形波導層（1）以及所述狹縫結構（2）設置于所述平板波導層（4）的上方；
所述狹縫結構（2）設置于所述脊形波導層（1）之間，且與所述脊形波導層（1）接觸，所述狹縫結構（2）與所述脊形波導層（1）之間形成所述凹槽結構（5）；所述相變材料（3）填充所述凹槽結構（5），所述相變材料（3）還設置于所述脊形波導層（1）以及填充后的所述凹槽結構（5）的表面；
所述襯底（6）、所述波導隔離層（7）、所述平板波導層（4）依次接觸設置；所述保護層（8）設置于所述相變材料（3）的上方。
2.根據權利要求1所述的神經突觸，其中，所述相變材料（3）的結構包括：T型結構。
3.根據權利要求1所述的神經突觸，其中，所述脊形波導層（1）的厚度小于等于800nm，寬度范圍為0.4μm-2.8μm。
4.根據權利要求1所述的神經突觸，其中，所述狹縫結構（2）的厚度小于等于800nm，寬度范圍小于等于200nm。
5.根據權利要求1所述的神經突觸，其中，設置于所述脊形波導層（1）以及填充后的所述凹槽結構（5）表面的所述相變材料（3）的厚度范圍小于等于200nm。
6.根據權利要求1所述的神經突觸，其中，所述波導隔離層（7）的折射率小于所述平板波導層（4）的折射率。
7.根據權利要求1所述的神經突觸，其中，所述平板波導層（4）的折射率范圍為1.5-3.5。
8.一種波導結構神經突觸的制備方法，包括：
S0，依次制備襯底（6）、波導隔離層（7）以及平板波導層（4）；
S1，在平板波導層（4）的表面制備套刻標記，在所述套刻標記上制備脊形波導層（1）；
S2，在所述平板波導層（4）的表面以及所述脊形波導層（1）之間制備狹縫結構（2），使所述狹縫結構（2）與所述脊形波導層（1）之間具有凹槽結構（5）；
S3，使相變材料（3）填充所述狹縫結構（2），使所述相變材料（3）還設置于所述脊形波導層（1）以及填充后的所述凹槽結構（5）的表面；
S4，在所述相變材料（3）的上方制備保護層（8）。
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