[發(fā)明專利]掩膜版及三重圖形化的方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911423432.2 | 申請日: | 2019-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN113130303B | 公開(公告)日: | 2023-10-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 吳維維;王興榮;陸思遠 | 申請(專利權)人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司;中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/033 | 分類號: | H01L21/033;H01L21/336 |
| 代理公司: | 上海知錦知識產(chǎn)權代理事務所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人: | 高靜 |
| 地址: | 201203 上海市浦東新*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 掩膜版 三重 圖形 方法 | ||
1.一種掩膜版,所述掩膜版用于對襯底進行圖形化處理;所述襯底包括沿著第一方向延伸的多個鰭部,以及位于鰭部之間的間隔區(qū);其特征在于,所述掩膜版包括:第一掩膜版、第二掩膜版和第三掩膜版;
所述第一掩膜版包括第一矩形窗口圖形;所述第一矩形窗口圖形用于定義沿著第一方向對襯底上鰭部進行切割的第一矩形窗口;
所述第二掩膜版包括沿著第一方向延伸第二矩形窗口圖形;所述第二矩形窗口圖形用于定義沿著第一方向對襯底上鰭部進行切割的第二矩形窗口;
所述第三掩膜版包括第三非矩形窗口圖形;所述第三矩形窗口圖形用于定義沿著第二方向對襯底上鰭部進行切割的第三非矩形窗口;所述第二方向與所述第一方向垂直;
所述第一矩形窗口、第二矩形窗口和第三矩形窗口拼接構成預設的目標非矩形窗口;所述目標非矩形窗口用于定義襯底表面待刻蝕去除鰭部的區(qū)域。
2.根據(jù)權利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述目標非矩形窗口包括沿著第一方向延伸的第一邊界和第二邊界;所述第一邊界由交替布置的沿第一方向延伸的第一邊和沿第二方向延伸的第二邊依次連接構成臺階狀,使得第一、第二邊界之間的間距逐步縮小至預設最小間距;
從目標非矩形窗口內的最小間距區(qū)開始,沿著第一邊界的臺階交錯布置第一矩形窗口和第二矩形窗口圖形,并沿著第二邊界依次布置一第二矩形窗口和一第一矩形窗口;在第一邊界臺階上布置的第一矩形窗口和第二矩形窗口分別在第一方向上沿著對應臺階的第一邊延伸并延伸出第一預設距離;
在第一邊界臺階上布置的第一矩形窗口和第二矩形窗口在第二方向上的尺寸分別與對應臺階的第二邊的尺寸相同;沿著第二邊界布置的第一矩形窗口的一端部延伸至所述最小間距區(qū)第二預設距離,與第一邊界的最小間距區(qū)的臺階上布置的第一矩形窗口的一端部在第二方向上鄰接堆疊形成連通區(qū);
在目標非矩形窗口中除第一、第二矩形窗口之外布置第三非矩形窗口。
3.根據(jù)權利要求2所述的掩膜版,其特征在于,所述襯底上的鰭部與間隔區(qū)沿第二方向的尺寸之和為1個節(jié)距,所述預設最小間距為2個節(jié)距。
4.根據(jù)權利要求2所述的掩膜版,其特征在于,其特征在于,所述第一預設距離為1/2CPP。
5.根據(jù)權利要求2所述的掩膜版,其特征在于,所述第二預設距離為1CPP。
6.根據(jù)權利要求2所述的掩膜版,其特征在于,其特征在于,當所述襯底表面還包括所述目標非矩形窗口之外的矩形去除窗口且沿著第二邊界布置的第一矩形窗口圖形沿著第一方向的尺寸為1個節(jié)距時,所述第一掩膜版或所述第二掩膜版還包括與所述矩形去除窗口對應的矩形去除窗口圖形。
7.根據(jù)權利要求2所述的掩膜版,其特征在于,其特征在于,當襯底表面還包括所述目標非矩形窗口之外的矩形去除窗口且沿著第二邊界布置的第一矩形窗口圖形沿著第一方向的尺寸為2個節(jié)距時,所述第二掩膜版還包括與所述矩形去除窗口對應的矩形去除窗口圖形。
8.一種三重圖形化的方法,其特征在于,包括:
提供襯底,所述襯底包括沿著第一方向延伸的鰭部;
在所述襯底和鰭部上形成第一圖案化掩膜層;
以所述圖案化的第一圖案化掩膜層為掩膜刻蝕所述第一矩形窗口內的鰭部,形成所述鰭部的第一圖案;
在所述襯底和鰭部上形成第二圖案化掩膜層;所述第二圖案化掩膜層包括第二矩形窗口;
以所述圖案化的第二圖案化掩膜層為掩膜刻蝕所述第二矩形窗口內的鰭部,形成所述鰭部的第二圖案;
在所述襯底和鰭部上形成第三圖案化掩膜層;所述第三圖案化掩膜層包括第三非矩形窗口;所述第二方向與所述第一方向垂直;
以所述圖案化的第三圖案化掩膜層為掩膜刻蝕所述第三非矩形窗口內的鰭部,在所述襯底上形成所述鰭部的預定非矩形圖案;
所述第一矩形窗口、第二矩形窗口和第三矩形窗口拼接構成預設的目標非矩形窗口;所述目標非矩形窗口用于定義襯底表面待刻蝕去除鰭部的區(qū)域。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





