[發明專利]顯示屏及電子裝置有效
| 申請號: | 201911423250.5 | 申請日: | 2019-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN111180490B | 公開(公告)日: | 2022-12-13 |
| 發明(設計)人: | 崔志佳;孫景陽;于曉飛;楊樂;賈玉虎 | 申請(專利權)人: | OPPO廣東移動通信有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳市慧實專利代理有限公司 44480 | 代理人: | 孫東杰 |
| 地址: | 523860 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示屏 電子 裝置 | ||
本申請實施例公開了一種顯示屏,包括金屬陽極層、半透明陰極層以及像素單元層。金屬陽極層包括多個間隔設置的金屬陽極;半透明陰極層包括多個半透明陰極;像素單元層設置于所述金屬陽極層和半透明陰極層之間,像素單元層包括多個間隔設置的像素單元,每一像素單元位于一對應的金屬陽極以及對應的半透明陰極之間;在顯示屏的預設區域中,半透明陰極層還包括設置于多個半透明陰極之間或之上的遮光部,以及被遮光部包圍的透光區域。本申請還提供一種電子裝置。本申請通過在預設區域設置透光區域,而使得光線可通過顯示屏,無需預留非顯示區域進行開孔。
技術領域
本申請涉及電子設備領域,具體涉及一種顯示屏及具有所述顯示屏的電子裝置。
背景技術
目前,由于全面屏電子裝置具有高屏占比,可在不需要額外增加整機尺寸的情況下,顯著的增加顯示屏的顯示區域的尺寸,因此,全面屏電子裝置越來越成為了目前的主流。現在的全面屏電子裝置在實現高屏占比時,需要面臨的問題是如何同時維持前置攝像頭和位于前屏的傳感器的正常功能。
目前的全屏式電子裝置通常有兩種方式,第一種方式為通過劉海屏或水滴屏,在顯示屏上預留一個非顯示區域來安置前置攝像頭和傳感器等元件,第二種方式為通過將前置攝像頭和傳感器等元件設置于彈出式/旋轉式結構中,在需要使用時,將彈出式/旋轉式結構從裝置本體彈出/轉出,而可使得前置攝像頭和傳感器等元件可露出而實現相應的功能。然而,對于第一種方式,由于需要預留非顯示區域,從而對進一步提高屏占比造成了一定的限制,對于第二種方式,彈出式/旋轉式結構在彈出后容易遇到磕碰而導致損壞。
因此,有必要提出一種更好的全面屏解決方案。
發明內容
本申請實施例提供了一種顯示屏及電子裝置,以解決上述問題。
一方面,提供一種顯示屏,所述顯示屏包括金屬陽極層、半透明陰極層以及像素單元層。所述金屬陽極層包括多個間隔設置的金屬陽極;所述半透明陰極層包括多個半透明陰極;所述像素單元層設置于所述金屬陽極層和半透明陰極層之間,所述像素單元層包括多個間隔設置的像素單元,每一像素單元位于一對應的金屬陽極以及對應的半透明陰極之間;其中,在顯示屏的預設區域中,所述半透明陰極層還包括設置于多個半透明陰極之間或之上的遮光部,以及被所述遮光部包圍的透光區域。
另一方面,提供一種電子裝置,所述電子裝置包括顯示屏,所述顯示屏包括金屬陽極層、半透明陰極層以及像素單元層。所述金屬陽極層包括多個間隔設置的金屬陽極;所述半透明陰極層包括多個半透明陰極;所述像素單元層設置于所述金屬陽極層和半透明陰極層之間,所述像素單元層包括多個間隔設置的像素單元,每一像素單元位于一對應的金屬陽極以及對應的半透明陰極之間;其中,在顯示屏的預設區域中,所述半透明陰極層還包括設置于多個半透明陰極之間或之上的遮光部,以及被所述遮光部包圍的透光區域。
本申請在顯示屏的預設區域中,通過在半透明陰極層設置透光區域,而使得光線可通過顯示屏,當顯示屏應用于電子裝置時,而可供電子裝置中的位于顯示屏內側的有感光等需求的元器件可正常工作,而無需預留非顯示區域進行開孔,極大地提高了顯示屏的屏占比。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案,下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為本申請一實施例中的顯示屏的部分位置的橫截面示意圖。
圖2為本申請一實施例中的顯示屏的預設區域的俯視示意圖。
圖3為本申請另一實施例中的顯示屏的預設區域的俯視示意圖。
圖4為本申請再一實施例中的顯示屏100的預設區域的俯視示意圖。
圖5為本申請另一實施例中的顯示屏的部分位置的橫截面示意圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





