[發(fā)明專利]一種納米材料及其制備方法與量子點(diǎn)發(fā)光二極管有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911421636.2 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN113130790B | 公開(kāi)(公告)日: | 2022-09-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭煜林;吳龍佳;張?zhí)焖?/a>;李俊杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | TCL科技集團(tuán)股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L51/50 | 分類號(hào): | H01L51/50;H01L51/54 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文;劉芙蓉 |
| 地址: | 516006 廣東省惠州市*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 納米 材料 及其 制備 方法 量子 發(fā)光二極管 | ||
1.一種納米材料,其特征在于,所述納米材料包括:ZnO納米顆粒、結(jié)合在所述ZnO納米顆粒表面的InOOH量子點(diǎn);所述ZnO納米顆粒與結(jié)合在所述ZnO納米顆粒表面的InOOH量子點(diǎn)形成異質(zhì)結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米材料,其特征在于,所述納米材料還包括:與所述InOOH量子點(diǎn)結(jié)合的疏水性有機(jī)分子。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米材料,其特征在于,所述InOOH量子點(diǎn)上氧原子的孤對(duì)電子與所述ZnO納米顆粒表面缺陷配位;和/或,所述InOOH量子點(diǎn)上銦原子與所述ZnO納米顆粒的氧離子之間形成電子相互作用。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的納米材料,其特征在于,所述InOOH量子點(diǎn)和所述疏水性有機(jī)分子之間形成氫鍵。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的納米材料,其特征在于,所述納米材料由ZnO納米顆粒、結(jié)合在所述ZnO納米顆粒表面的InOOH量子點(diǎn)、及與所述InOOH量子點(diǎn)結(jié)合的疏水性有機(jī)分子組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的納米材料,其特征在于,所述疏水性有機(jī)分子為含苯環(huán)的化合物、含雙鍵的化合物、含硝基的化合物、含鹵素原子的化合物中的至少一種。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的納米材料,其特征在于,所述疏水性有機(jī)分子為苯胺。
8.一種納米材料的制備方法,其特征在于,包括步驟:
提供InOOH量子點(diǎn);
將溶液法制備得到的ZnO納米顆粒與InOOH量子點(diǎn)混合,使InOOH量子點(diǎn)結(jié)合在ZnO納米顆粒表面,得到第一納米材料;所述第一納米材料中所述ZnO納米顆粒與InOOH量子點(diǎn)形成異質(zhì)結(jié)構(gòu)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的納米材料的制備方法,其特征在于,所述制備方法還包括步驟:向所述第一納米材料的反應(yīng)體系中加入疏水性有機(jī)分子,使疏水性有機(jī)分子與InOOH量子點(diǎn)結(jié)合,得到第二納米材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的納米材料的制備方法,其特征在于,所述InOOH量子點(diǎn)的制備方法,包括步驟:將銦源與第一堿液混合,經(jīng)反應(yīng)得到InOOH量子點(diǎn)。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的納米材料的制備方法,其特征在于,所述溶液法制備ZnO納米顆粒的步驟包括:將鋅鹽溶液與第二堿液混合,經(jīng)反應(yīng)得到ZnO納米顆粒。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的納米材料的制備方法,其特征在于,所述使InOOH量子點(diǎn)結(jié)合在ZnO納米顆粒表面的條件:反應(yīng)的時(shí)間為1-3h。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的納米材料的制備方法,其特征在于,所述使疏水性有機(jī)分子與InOOH量子點(diǎn)結(jié)合的條件:反應(yīng)的時(shí)間為1-3h。
14.一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管,包括:陽(yáng)極、陰極、設(shè)置在所述陽(yáng)極和陰極之間的量子點(diǎn)發(fā)光層、設(shè)置在所述陰極和量子點(diǎn)發(fā)光層之間的電子傳輸層,其特征在于,所述電子傳輸層材料包括權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的納米材料;和/或所述電子傳輸層材料包括權(quán)利要求8-13任一項(xiàng)所述的制備方法制備得到的納米材料。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
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H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
H01L51-52 ..器件的零部件
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