[發明專利]一種高溫稀硫酸濃縮氟硅酸的方法

在審

• 申請號: 201911420908.7
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111017931A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 吳興前;何勇崗;張楠;燕如勇;高亮
• 申請（專利權）人: 貴州甕福藍天氟化工股份有限公司
• 主分類號: C01B33/10
• 分類號: C01B33/10;B01D1/22;B01D3/06
• 代理公司: 貴陽東圣專利商標事務有限公司 52002
• 代理人: 袁慶云

1.一種高溫稀硫酸濃縮氟硅酸的方法，包括以下步驟：

（1）以質量濃度為10-20%的稀氟硅酸連續進料、進料流量為5-35m³/h與排液泵輸送來的循環濃氟硅酸30-50m³/h一起進入降膜蒸發器；

（2）降膜蒸發器殼層內通入70-135℃高溫稀硫酸介質，對降膜蒸發器內的氟硅酸進行加熱濃縮蒸發時間2-10s；

（3）氟硅酸加熱溫度控制在50-58℃， 78 - 90kPa真空度下，在降膜蒸發器下部的閃蒸槽內水蒸汽與濃氟硅酸進行分離，濃氟硅酸留在閃蒸槽內，水蒸汽引出閃蒸槽。

2.如權利要求1所述的一種高溫稀硫酸濃縮氟硅酸的方法，其中：閃蒸槽分離出水蒸汽經水汽冷凝器進行冷卻吸收，冷凝液經冷凝液收集槽收集，未冷凝惰性氣體經真空泵抽出放空，水汽冷凝器利用的是經冷凝液冷卻器冷卻后冷凝液進行吸收；冷凝液循環泵將冷凝液收集槽中的一部冷凝液循環回冷凝液冷卻器，另一部分冷凝液進入氟化氫裝置。

3.如權利要求1或2所述的一種高溫稀硫酸濃縮氟硅酸的方法，其中：閃蒸槽內濃氟硅酸經排液泵輸送，一部分循環步驟（1）中降膜蒸發器頂部，另一部進入氟化氫生產裝置。