[發(fā)明專利]位移機構(gòu)及其驅(qū)動方法、電子設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911420706.2
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN113132578B
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發(fā)明（設計）人: 桂珞
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: H04N5/225
• 分類號: H04N5/225
• 代理公司: 上海知錦知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 李麗

1.一種位移機構(gòu)，其特征在于，包括：

基底，包括第一支撐壁、第二支撐壁、第一固定電極部和平臺平移部，所述第一支撐壁與所述第二支撐壁相對設置，且位于所述第一固定電極部和所述平臺平移部的兩側(cè)，所述第一固定電極部位于所述平臺平移部和所述第一支撐壁之間；

第一固定電極，覆蓋于所述第一固定電極部上，與第一導電線連接，且所述第一固定電極的上表面覆蓋有第一絕緣層；

第一活動彈性電極，兩端分別固定連接于所述第一支撐壁和所述第二支撐壁，包括與所述平臺平移部對應的第一可動平臺連接部和與所述第一固定電極對應的第一活動電極部，所述第一可動平臺連接部連接可動平臺，所述第一活動電極部與覆蓋于所述第一固定電極的第一絕緣層之間具有預定距離，且所述第一活動電極部與第二導電線連接。

2.如權(quán)利要求1所述的位移機構(gòu)，其特征在于，所述預定距離為100埃～100微米。

3.如權(quán)利要求1所述的位移機構(gòu)，其特征在于，所述基底還包括：

第一限位部，位于所述第一固定電極部和所述平臺平移部之間，開設有第一限位孔，所述第一活動彈性電極穿過所述第一限位孔固定連接于所述第一支撐壁和所述第二支撐壁。

4.如權(quán)利要求3所述的位移機構(gòu)，其特征在于，所述第一固定電極的數(shù)量為至少兩個，且各所述第一固定電極沿所述第一活動彈性電極的延伸方向排列，所述第一固定電極部的數(shù)量與所述第一固定電極的數(shù)量相等，所述第一活動電極部的數(shù)量與所述第一固定電極的數(shù)量相等。

5.如權(quán)利要求4所述的位移機構(gòu)，其特征在于，所述基底還包括：

第二限位部，位于相鄰的兩所述第一固定電極部之間，開設有第二限位孔，所述第一活動彈性電極穿過所述第一限位孔和所述第二限位孔固定連接于所述第一支撐壁和所述第二支撐壁。

6.如權(quán)利要求1所述的位移機構(gòu)，其特征在于，所述第一活動彈性電極還包括第一彈性件。

7.如權(quán)利要求6所述的位移機構(gòu)，其特征在于，所述第一彈性件的兩端連接所述第一可動平臺連接部和所述第二支撐壁。

8.如權(quán)利要求6所述的位移機構(gòu)，其特征在于，所述第一彈性件為Z字形彈簧。

9.如權(quán)利要求1-8任一項所述的位移機構(gòu)，其特征在于，所述基底還包括第二固定電極部、第三支撐壁和第四支撐壁，所述第三支撐壁和所述第四支撐壁相對設置，且與所述第一支撐壁垂直，所述平臺平移部和所述第二固定電極部位于所述第三支撐壁和所述第四支撐壁之間，且所述第二固定電極部位于所述第三支撐壁和所述平臺平移部之間；所述位移機構(gòu)還包括：

第二固定電極，覆蓋于所述第二固定電極部上，與第三導電線連接，且所述第一固定電極的上表面覆蓋有第二絕緣層；

第二活動彈性電極，兩端分別固定連接于所述第三支撐壁和所述第四支撐壁，包括與所述平臺平移部對應的第二可動平臺連接部和與所述第二固定電極對應的第二活動電極部，所述第二可動平臺連接部連接可動平臺，所述第二固定電極與覆蓋于所述第二活動電極部的第二絕緣層之間具有預定距離，且所述第二活動電極部與第四導電線連接。

10.如權(quán)利要求9所述的位移機構(gòu)，其特征在于，所述基底還包括：

第三限位部，位于所述第二固定電極部和所述平臺平移部之間，開設有第三限位孔，所述第二活動彈性電極穿過所述第三限位孔固定連接于所述第三支撐壁和所述第四支撐壁。

11.如權(quán)利要求10所述的位移機構(gòu)，其特征在于，所述第二固定電極的數(shù)量為至少兩個，各所述第二固定電極沿所述第二活動彈性電極的延伸方向排列，所述第二固定電極部的數(shù)量與所述第二固定電極的數(shù)量相等，所述第二活動電極部的數(shù)量與所述第二固定電極的數(shù)量。