[發(fā)明專利]一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911420671.2
• 申請(qǐng)日: 2019-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN113130789B
• 公開（公告）日: 2022-06-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 郭煜林;吳龍佳;張?zhí)焖?/a>;李俊杰
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: TCL科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 王永文;朱陽波

本發(fā)明公開一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法，包括：陽極、陰極、設(shè)置在所述陽極和所述陰極之間的疊層，其中，所述疊層包括量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層和設(shè)置在所述量子點(diǎn)發(fā)層與所述電子傳輸層之間的脂肪胺修飾層，所述量子點(diǎn)發(fā)光層設(shè)置在靠近所述陽極一側(cè)，所述電子傳輸層設(shè)置在靠近所述陰極一側(cè)，所述電子傳輸層的材料包括ZnO納米線。本發(fā)明通過將脂肪胺修飾層設(shè)置在電子傳輸層(含有ZnO納米線的電子傳輸薄膜)與量子點(diǎn)發(fā)光層之間，增強(qiáng)了電子傳輸層的電子傳輸，減少能耗；改善了電子傳輸層與量子點(diǎn)發(fā)光層的界面接觸質(zhì)量，降低功函數(shù)，減小電子注入勢(shì)壘；兩者協(xié)同提高了電子傳輸層的傳輸效率及穩(wěn)定性，進(jìn)而改善了QLED的發(fā)光效率和使用壽命。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及發(fā)光二極管領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法。

背景技術(shù)

量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)相比傳統(tǒng)的有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)有著高亮度、窄發(fā)射寬度、發(fā)光顏色連續(xù)可調(diào)、可溶液制備等獨(dú)具特色的優(yōu)點(diǎn)在顯示和照明領(lǐng)域有著極大的發(fā)展?jié)撃堋Ｆ渲?發(fā)展新型載流子傳輸層材料及改善載流子傳輸層的表面形態(tài)，是實(shí)現(xiàn)器件中載流子高效、平衡注入從而提升LED的效率和壽命的重要手段。

近年來，無機(jī)半導(dǎo)體作為電子傳輸層材料成為比較熱的研究?jī)?nèi)容；其中，ZnO是一種直接帶隙的n型半導(dǎo)體材料，具有3.37eV的寬禁帶和3.7eV的低功函，且具有穩(wěn)定性好、透明度高、安全無毒等優(yōu)點(diǎn)；且室溫下比大多數(shù)半導(dǎo)體更穩(wěn)定，具有十分優(yōu)異的光學(xué)、電學(xué)、光電和磁學(xué)等性能；使得ZnO可成為合適的電子傳輸層材料。

由于ZnO中的本征施主缺陷如氧空位、鋅填隙等的形成能較低，使其表現(xiàn)出弱n型導(dǎo)電性質(zhì)。薄膜晶體ZnO的電子遷移率只有7cm²/Vs。

因此，現(xiàn)有技術(shù)還有待于改進(jìn)和發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容

鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法，旨在解決現(xiàn)有以ZnO為電子傳輸層材料的QLED發(fā)光效率低、使用壽命短的問題。

本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管，包括：陽極、陰極、設(shè)置在所述陽極和所述陰極之間的疊層，其中，所述疊層包括量子點(diǎn)發(fā)光層、電子傳輸層和設(shè)置在所述量子點(diǎn)發(fā)層與所述電子傳輸層之間的脂肪胺修飾層，所述量子點(diǎn)發(fā)光層設(shè)置在靠近所述陽極一側(cè)，所述電子傳輸層設(shè)置在靠近所述陰極一側(cè)，所述電子傳輸層的材料包括ZnO納米線。

一種量子點(diǎn)發(fā)光二極管的制備方法，其中，包括步驟：

提供陽極，在所述陽極上制備量子點(diǎn)發(fā)光層；

在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上制備脂肪胺修飾層；

在所述脂肪胺修飾層上制備電子傳輸層；

在所述電子傳輸層上制備陰極，得到量子點(diǎn)發(fā)光二極管；

或者，提供陰極，在所述陰極上制備電子傳輸層；

在所述電子傳輸層上制備脂肪胺修飾層；

在所述脂肪修飾層制備量子點(diǎn)發(fā)光層；

在所述量子點(diǎn)發(fā)光層上制備陽極，得到所述量子點(diǎn)發(fā)光二極管；

其中，所述電子傳輸層的材料包括ZnO納米線。

有益效果：本發(fā)明通過將脂肪胺修飾層設(shè)置在電子傳輸層(含有ZnO納米線的電子傳輸薄膜)與量子點(diǎn)發(fā)光層之間，既可利用一維結(jié)構(gòu)ZnO納米線c軸方向的內(nèi)建電場(chǎng)增強(qiáng)電子傳輸，使電子在納米線上傳輸時(shí)避免界面電阻造成的損失，減少能耗；又可有效控制ZnO表面氧缺陷的濃度，并使得含有ZnO納米線的電子傳輸薄膜具有更強(qiáng)的疏水性，改善了電子傳輸層與量子點(diǎn)發(fā)光層的界面接觸質(zhì)量，降低功函數(shù)，減小電子注入勢(shì)壘；兩者協(xié)同提高了電子傳輸層的傳輸效率及穩(wěn)定性，進(jìn)而使得QLED的發(fā)光效率高、使用壽命長(zhǎng)。