[發明專利]復合材料、薄膜、量子點發光二極管

有效

• 申請號: 201911420477.4
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN113130788B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 聶志文;張旋宇;劉文勇
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50;H01L51/54
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 黃志云

本發明提供了一種復合材料，包括載流子功能材料和非發光量子點，且所述非發光量子點的最高占據分子軌道能級與所述載流子功能材料的最高占據分子軌道能級之間的差值小于或等于0.5eV，或所述非發光量子點的最低占據分子軌道能級與所述載流子功能材料的最低占據分子軌道能級之間的差值小于或等于0.5eV。

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，尤其涉及一種復合材料和一種量子點發光二極管。

背景技術

量子點發光二級管(QLED)是一種新興的顯示器件，結構與有機發光二級管(OLED)相似，具有理論發光效率高、熒光壽命長、色域度高、單光源可激發多色熒光、可溶液加工、制備成本低廉、封裝工藝簡單等一系列優點，在未來顯示技術和照明領域表現出廣闊的應用前景，有望引領下一代顯示技術新潮流。經過近幾年的快速發展，尤其以合金核殼量子點的重建與厚殼的生長方向極大的推動了QLED各項指標取得了大幅度提升。比如：在未使用任何光取出技術的前提下，河南大學的申懷彬等實現了最高亮度和外量子效率分別達到356,000cd/m²、614,000cd/m²、62,600cd/m²和21.6％、22.9％、8.05％的紅綠藍三元色QLED，這些研究成果不僅極大的推動了QLED的快速發展，同時也在原理上展示了QLED在顯示技術領域得到商業化應用的可能性。

然而，盡管QLED取得了突飛猛進的研究進展，但其中仍然存在較多的問題未能徹底解決，其中各層界面間引發的非輻射復合與發光淬滅問題成為了限制QLED性能指標提升的重要因素，這也嚴重制約了QLED邁向產業化發展之路。眾所周知，導致QLED器件工作時電子與空穴注入不平衡的最大原因在于空穴傳輸材料的電荷遷移率比電子傳輸層材料的要低。一方面，載流子注入勢壘的增加會使得器件的工作電壓持續升高，容易降低乃至猝滅量子點的發光。另一方面，不平衡的電荷注入容易造成過多的載流子在界面處堆積，引發激子的非輻射復合，造成器件性能發生衰減。

發明內容

本發明的目的在于提供一種復合材料，以及一種量子點發光二極管，旨在解決量子點發光二極管各層界面間引發的非輻射復合與發光淬滅的問題。

為實現上述發明目的，本發明采用的技術方案如下：

本發明第一方面提供一種復合材料，包括載流子功能材料和非發光量子點，且所述非發光量子點的最高占據分子軌道能級與所述載流子功能材料的最高占據分子軌道能級之間的差值小于或等于0.5eV，或所述非發光量子點的最低占據分子軌道能級與所述載流子功能材料的最低占據分子軌道能級之間的差值小于或等于0.5eV。

本發明第二方面提供一種薄膜，所述薄膜包括非發光量子點，且所述非發光量子點的最高占據分子軌道能級小于發光量子點的最高占據分子軌道能級；或所述薄膜包括載流子功能材料和非發光量子點，且所述非發光量子點的最高占據分子軌道能級與所述載流子功能材料的最高占據分子軌道能級之間的差值小于或等于0.5eV，或所述非發光量子點的最低占據分子軌道能級與所述載流子功能材料的最低占據分子軌道能級之間的差值小于或等于0.5eV。

本發明第三方面提供一種量子點發光二極管，包括相對設置的陽極和陰極，在所述陽極和所述陰極之間設置的量子點發光層，以及電子傳輸層、空穴傳輸層、空穴注入層、非發光量子點層中的至少一層，且所述電子傳輸層、所述空穴傳輸層、所述空穴注入層中的至少一層包含載流子功能材料和非發光量子點，且所述非發光量子點的最高占據分子軌道能級與所述載流子功能材料的最高占據分子軌道能級之間的差值小于或等于0.5eV，或所述非發光量子點的最低占據分子軌道能級與所述載流子功能材料的最低占據分子軌道能級之間的差值小于或等于0.5eV；和/或

所述非發光量子點層包括非發光量子點，且所述非發光量子點的最高占據分子軌道能級小于發光量子點的最高占據分子軌道能級。