[發明專利]一種異質結太陽能電池成膜生產工藝

在審

• 申請號: 201911420457.7
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111312853A
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發明（設計）人: 鮑少娟;白焱輝;王繼磊;張娟;黃金
• 申請（專利權）人: 晉能光伏技術有限責任公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/0747;H01L21/205
• 代理公司: 鎮江京科專利商標代理有限公司 32107
• 代理人: 朱坤保

1.一種異質結太陽能電池成膜生產工藝，其特征在于，具體工藝為：先將制絨清洗后、待成膜的單晶硅片裝至基板上，并至少在一個成膜單元對基板上的單晶硅片采用等離子體處理后再直接對單晶硅片進行一次i型非晶硅成膜和n型非晶硅成膜或單獨進行i型非晶硅成膜；還采用另外一個或多個成膜單元對單晶硅片進行另外一面的非晶硅成膜；最后將完成工藝處理的承載單晶硅片的基板移出沉積系統外，冷卻，卸載硅片。

2.按照權利要求1所述的異質結太陽能電池成膜生產工藝，其特征在于，包括以下步驟：

A、將制絨清洗后、待成膜的單晶硅片裝至第一基板上；

B、第一基板被傳送入第一成膜單元，對基板上的單晶硅片采用等離子體處理；在第一成膜單元內對單晶硅片進行第一次i型非晶硅成膜并繼續在第一成膜單元沉積n型非晶硅；

C、將第一基板從第一成膜單元中傳出，將單晶硅片翻面，放在另外一塊第二基板上；

D、第二基板被傳送入第二成膜單元，對基板上的單晶硅片采用等離子體處理；在第二成膜單元內完成單晶硅片另一面的i型非晶硅成膜；

E、將第二基板從第二成膜單元中傳出，傳送至第三成膜單元并在第三成膜單元內進行第四次p型非晶硅成膜；

F、將完成工藝處理的承載單晶硅片的基板移出沉積系統外，冷卻，卸載硅片。

3.按照權利要求1所述的異質結太陽能電池成膜生產工藝，其特征在于，包括以下步驟：

A、將制絨清洗后、待成膜的單晶硅片裝至第一基板上；

B、第一基板被傳送入第一成膜單元，對基板上的單晶硅片采用等離子體處理；在第一成膜單元內對單晶硅片進行第一次i型非晶硅成膜；

C、將第一基板從第一成膜單元中傳出，繼續被傳送入第二成膜單元，在第二成膜單元內對單晶硅片完成沉積p型非晶硅；

D、將第二基板從第二成膜單元中傳出，將單晶硅片翻面，放在另外一塊第二基板上，傳送至第三成膜單元采用等離子體處理單晶硅片；在第三成膜單元內對硅基板沉積另外一面i型非晶硅和n型非晶硅；

E、將完成工藝處理的承載單晶硅片的基板移出沉積系統外，冷卻，卸載硅片。

4.按照權利要求1所述的異質結太陽能電池成膜生產工藝，其特征在于，包括以下步驟：

A、將制絨清洗后、待成膜的單晶硅片裝至第一基板上；

B、第一基板被傳送入第一成膜單元，對基板上的單晶硅片采用等離子體處理；在第一成膜單元內對單晶硅片進行第一次i型非晶硅成膜并繼續在第一成膜單元沉積n型非晶硅；

C、將第一基板從第一成膜單元中傳出，將單晶硅片翻面，放在另外一塊第二基板上；第二基板被再次傳送入第一成膜單元，對基板上的單晶硅片采用等離子體處理；在第一成膜單元內完成硅片另一面的i型非晶硅成膜；

D、將第二基板從第一成膜單元中傳出，繼續傳送至第二成膜單元，在第二成膜單元內繼續完成硅片另一面的P型非晶硅成膜；

E、將完成工藝處理的承載單晶硅片的基板移出沉積系統外，冷卻，卸載硅片。

5.按照權利要求1所述的異質結太陽能電池成膜生產工藝，其特征在于，包括以下步驟：

A、將制絨清洗后、待成膜的單晶硅片裝至第一基板上；

B、第一基板被傳送入第一成膜單元，對基板上的單晶硅片采用等離子體處理；在第一成膜單元內對單晶硅片進行第一次i型非晶硅成膜并繼續在第一成膜單元沉積n型非晶硅；

C、將第一基板從第一成膜單元中傳出，將單晶硅片翻面，放在另外一塊第二基板上；

D、第二基板被傳送入第二成膜單元，對基板上的單晶硅片采用等離子體處理；在第二成膜單元內完成單晶硅片另一面的i型非晶硅和p型非晶硅沉積成膜；

E、將完成工藝處理的承載單晶硅片的基板移出沉積系統外，冷卻，卸載硅片。

6.按照權利要求1所述的異質結太陽能電池成膜生產工藝，其特征在于，包括以下步驟：

A、將制絨清洗后、待成膜的單晶硅片裝至第一基板上；

B、第一基板被傳送入第一成膜單元，對基板上的單晶硅片采用等離子體處理；在第一成膜單元內對單晶硅片進行第一次i型非晶硅成膜并繼續在第一成膜單元沉積p型非晶硅；

C、將第一基板從第一成膜單元中傳出，將單晶硅片翻面，放在另外一個第二基板上；

D、第二基板被傳送入第二成膜單元，對基板上的單晶硅片采用等離子體處理；在第二成膜單元內對單晶硅片完成沉積i型非晶硅成膜，并繼續在第二成膜單元沉積n型非晶硅成膜；

E、將完成工藝處理的承載單晶硅片的基板移出沉積系統外，冷卻，卸載硅片。