[發明專利]一種MXene/銀納米線復合電磁屏蔽膜

有效

• 申請號: 201911420173.8
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111132533B
• 公開（公告）日: 2021-07-13
• 發明（設計）人: 葉萃;殷宏宇;潘軍;張旺;彭永武
• 申請（專利權）人: 浙江工業大學
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00;B22F1/00
• 代理公司: 杭州天正專利事務所有限公司 33201
• 代理人: 黃美娟;俞慧

1.一種MXene/銀納米線復合電磁屏蔽膜，其特征在于：所述復合電磁屏蔽膜由MXene、銀納米線和粘結劑制成；其中，MXene和銀納米線的質量比為0.05-20，粘結劑的質量用量為MXene和銀納米線總質量用量的0.001-10%；所述粘結劑為海藻酸鈉、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、殼聚糖、羥丙基甲基纖維素、羧甲基纖維素、羧甲基纖維素鈉中的一種或幾種的混合；

所述MXene/銀納米線復合電磁屏蔽膜通過如下方法制備：將銀納米線溶液與粘結劑充分混合后得到混合液1，混合液1再與MXene溶液充分混合，得到混合液2；將混合液2抽濾成膜，即得到MXene/銀納米線復合電磁屏蔽膜。

2.如權利要求1所述的MXene/銀納米線復合電磁屏蔽膜，其特征在于：MXene和銀納米線的質量比為0.1-5。

3.如權利要求1所述的MXene/銀納米線復合電磁屏蔽膜，其特征在于：MXene和銀納米線的質量比為0.33-3。

4.如權利要求1所述的MXene/銀納米線復合電磁屏蔽膜，其特征在于：MXene和銀納米線的質量比為0.33。

5.如權利要求1-4之一所述的MXene/銀納米線復合電磁屏蔽膜，其特征在于：粘結劑的質量用量為MXene和銀納米線總質量用量的1-10%。

6.如權利要求5所述的MXene/銀納米線復合電磁屏蔽膜，其特征在于：粘結劑的質量用量為MXene和銀納米線總質量用量的2-5%。

7.如權利要求1-4之一所述的MXene/銀納米線復合電磁屏蔽膜，其特征在于：所述MXene為片層狀，直徑200 nm-20μm，厚度為2 nm-30 nm；所述MXene溶液的溶劑為水、乙醇、甲醇、聚丙烯醇中的一種或幾種的混合；所述MXene溶液的濃度為0.1-30 mg/mL。

8.如權利要求1-4之一所述的MXene/銀納米線復合電磁屏蔽膜，其特征在于：所述銀納米線直徑為18-200 nm，長度為10-200 μm；所述銀納米線溶液的溶劑為水、乙醇、甲醇、聚丙烯醇中的一種或幾種的混合，所述銀納米線溶液的濃度為0.1-25 mg/mL。

9.如權利要求7所述的MXene/銀納米線復合電磁屏蔽膜，其特征在于：所述MXene溶液和銀納米線溶液的溶劑均為水。

10.如權利要求8所述的MXene/銀納米線復合電磁屏蔽膜，其特征在于：所述MXene溶液和銀納米線溶液的溶劑均為水。

11.如權利要求1-4之一所述的MXene/銀納米線復合電磁屏蔽膜，其特征在于：制備混合液1和混合液2的過程中，采用磁力攪拌、機械攪拌或者機械振動來促進混合，處理時間不少于20 min，直至溶液混合均勻。

12.如權利要求1-4之一所述的MXene/銀納米線復合電磁屏蔽膜，其特征在于：抽濾使用的濾膜為纖維素濾膜、聚酰胺濾膜、聚四氟乙烯濾膜、聚偏氟乙烯濾膜中的一種，孔徑為0.02-10 μm。

13.如權利要求1-4之一所述的MXene/銀納米線復合電磁屏蔽膜，其特征在于：所述電磁屏蔽膜的厚度為500 nm-1 mm。

14.如權利要求1-4之一所述的MXene/銀納米線復合電磁屏蔽膜，其特征在于：所述電磁屏蔽膜的厚度為500 nm-40 μm。