[發明專利]顯示面板和顯示裝置有效
| 申請號: | 201911420112.1 | 申請日: | 2019-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN111180489B | 公開(公告)日: | 2022-12-09 |
| 發明(設計)人: | 曹中歡;郭林山;沈鵬;馮在武 | 申請(專利權)人: | 武漢天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京匯思誠業知識產權代理有限公司 11444 | 代理人: | 馮偉 |
| 地址: | 430205 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
陣列基板,所述陣列基板包括顯示區和位于所述顯示區周緣的非顯示區,所述陣列基板還包括薄膜晶體管陣列層,以及位于所述薄膜晶體管陣列層上的平坦化層,和位于所述平坦化層上的像素定義層;
薄膜封裝層,所述薄膜封裝層覆蓋于所述陣列基板上;
所述薄膜封裝層包括第一無機層和第二無機層,以及位于所述第一無機層與所述第二無機層之間的第一有機層,所述第一無機層位于所述第二無機層朝向所述陣列基板的一側;
阻擋部,所述阻擋部采用有機材料,所述阻擋部位于所述陣列基板的非顯示區,且所述第一有機層截止于所述阻擋部;
其中,第二有機層,所述第二有機層位于所述陣列基板上,且所述第一無機層位于所述第一有機層與所述第二有機層之間,所述第一無機層包括第一缺口,所述第一有機層填充于所述第一缺口內,且與所述第二有機層接觸,或者,所述第二有機層與所述平坦化層同層設置,或者,所述第二有機層與所述像素定義層同層設置。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第一有機層與所述第二有機層之間的粘附力大于所述第一有機層與第一無機層之間的粘附力,且大于所述第二有機層與所述第一無機層之間的粘附力。
3.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,所述第二有機層包括第二缺口,所述第一缺口與所述第二缺口相鄰,且在垂直于所述陣列基板的方向上不交疊,所述第一無機層覆蓋于所述第二缺口上。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,所述第一缺口和所述第二缺口均位于所述陣列基板的非顯示區。
5.根據權利要求4所述的顯示面板,其特征在于,所述阻擋部包括沿遠離所述陣列基板方向上依次層疊設置的第一阻擋層、第二阻擋層和第三阻擋層,其中,所述第二有機層與所述第一阻擋層接觸且同層設置,所述第二有機層由所述阻擋部朝向所述第二缺口延伸,或者,
所述第二有機層與所述第二阻擋層接觸且同層設置,所述第二有機層由所述阻擋部朝向所述第二缺口延伸。
6.根據權利要求1-5任意一項所述的顯示面板,其特征在于,所述像素定義層包括多個開口區間,所述顯示面板的發光元件位于所述多個開口區間內。
7.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述第二有機層與第一缺口交疊部分的表面設置有粘合劑,所述第一有機層覆蓋于所述粘合劑上。
8.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述第二有機層上對應于所述第一缺口的表面設置有至少一個凹槽,所述第一有機層覆蓋于所述至少一個凹槽上。
9.根據權利要求8所述的顯示面板,其特征在于,相鄰所述凹槽之間包括第一凹部,所述第一凹部呈梯形結構,所述梯形結構朝向所述顯示區的底角為第一底角,朝向所述阻擋部的底角為第二底角,所述第二底角大于所述第一底角。
10.根據權利要求9所述的顯示面板,其特征在于,所述第一底角小于35°,所述第二底角大于45°。
11.根據權利要求10所述的顯示面板,其特征在于,所述至少一個凹槽內設置有粘合劑,所述第一有機層覆蓋于所述粘合劑上。
12.根據權利要求6所述的顯示面板,其特征在于,所述第二有機層上對應所述第一缺口的表面上設置有至少一個階梯,所述第一有機層覆蓋于所述階梯上。
13.根據權利要求12所述的顯示面板,其特征在于,所述階梯的側面為與所述陣列基板所在平面之間呈第一傾角的斜面,所述第一傾角大于0°小于90°。
14.根據權利要求13所述的顯示面板,其特征在于,所述階梯由所述顯示區朝向所述阻擋部逐漸下降,所述第一傾角大于45°。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





