[發明專利]一種長方體形狀的CuInS2

有效

• 申請號: 201911419461.1
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111072059B
• 公開（公告）日: 2022-07-08
• 發明（設計）人: 黃博;張輝朝
• 申請（專利權）人: 杭州電子科技大學
• 主分類號: C01G15/00
• 分類號: C01G15/00;C01G9/08;B82Y40/00;B82Y30/00
• 代理公司: 杭州君度專利代理事務所(特殊普通合伙) 33240
• 代理人: 楊舟濤

1.一種長方體形狀的CuInS₂/ZnS半導體納米晶的高效制備方法，其特征在于包括以下步驟：

(1)制備CuInS₂/ZnS納米核NCs，提純后溶于三正辛基磷TOP，獲得TOP/NCs溶液，TOP/NCs溶液中納米核的濃度為40.0～52.6nmol/mL；

(2)在氬氣環境下，將硫粉S與TOP混合，超聲直至獲得澄清的TOP/S溶液，TOP/S溶液中硫的濃度為2.7～4.9mol/L；

(3)將三正辛基氧磷、氧化鋅ZnO和油酸在氬氣環境下加熱至120～130℃反應50～60分鐘，再升溫到345～350℃使反應物變為澄清的溶液，ZnO、油酸和三正辛基氧磷的物質的量之比為1:5～5.1:3～6.4；

(4)向步驟(3)中的產物注入步驟(1)中的TOP/NCs溶液，設定溫度為335～340℃，待溫度恢復至335～340℃時注入步驟(2)中的TOP/S溶液，反應15～18分鐘后降至室溫，得到長方體形狀的CuInS₂/ZnS納米晶，ZnO、硫粉和納米核的物質的量之比為1:3～3.1:2.7×10^-5～5.6×10^-5。

2.如權利要求1所述的一種長方體形狀的CuInS₂/ZnS半導體納米晶的高效制備方法，其特征在于步驟(1)中，CuInS₂/ZnS納米核的平均粒徑為2.5～3.5nm。

3.如權利要求1所述的一種長方體形狀的CuInS₂/ZnS半導體納米晶的高效制備方法，其特征在于步驟(3)中，ZnO和油酸的物質的量之比為1:5。

4.如權利要求1所述的一種長方體形狀的CuInS₂/ZnS半導體納米晶的高效制備方法，其特征在于步驟(4)中，設定溫度為340℃，ZnO與硫粉的物質的量之比為1:3。