[發明專利]聲波器件的制作方法及聲波器件

在審

• 申請號: 201911418473.2
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111030629A
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發明（設計）人: 黃韋勝;廖珮涥
• 申請（專利權）人: 武漢衍熙微器件有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H03H3/04;H03H9/205
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 李洋;張穎玲

本公開實施例公開了一種聲波器件的制作方法及聲波器件，所述方法包括：在襯底的第一表面形成第一諧振結構；在所述襯底的第二表面形成第二諧振結構；其中，所述第二表面與所述第一表面為相反面，所述第一諧振結構和所述第二諧振結構均包括體聲波諧振結構。

技術領域

本公開實施例涉及聲波器件領域，特別涉及一種聲波器件的制作方法及聲波器件。

背景技術

在廣泛使用的諸如移動電話的通信設備中，通常包括使用聲波的聲波器件作為通訊設備的濾波器。作為聲波器件的示例，存在使用表面聲波(Surface Acoustic Wave，SAW)的器件、或者使用體聲波(Bulk Acoustic Wave，BAW)的器件等。聲波器件的性能會影響通信設備的通信效果。

隨著通訊技術的發展，如何在順應通信設備集成化和小型化發展趨勢的同時，提高聲波器件的性能成為亟待解決的問題。

發明內容

有鑒于此，本公開實施例提供一種聲波器件的制作方法及聲波器件。

根據本公開實施例的第一方面，提供一種聲波器件的制作方法，包括：

在襯底的第一表面形成第一諧振結構；

在所述襯底的第二表面形成第二諧振結構；其中，所述第二表面與所述第一表面為相反面，所述第一諧振結構和所述第二諧振結構均包括體聲波諧振結構。

可選地，所述方法還包括：形成所述第一諧振結構和所述第二諧振結構的連接結構。

可選地，所述形成所述第一諧振結構和所述第二諧振結構的連接結構，包括：

在形成所述第一諧振結構之后，從所述第二表面形成貫穿所述襯底的第一通孔；

在所述第一通孔中形成貫穿所述襯底的導電柱；其中，所述第二諧振結構通過所述導電柱與所述第一諧振結構連接。

可選地，所述在襯底的第一表面形成第一諧振結構，包括：

在所述第一表面依次形成所述第一諧振結構的第一反射結構、覆蓋所述第一反射結構的第一電極層、第一壓電層和第二電極層。

可選地，所述在所述第一表面依次形成所述第一諧振結構的第一反射結構、覆蓋所述第一反射結構的第一電極層、第一壓電層和第二電極層，包括：

在所述第一表面形成交替層疊設置的第一介質層和第二介質層，以形成所述第一反射結構；其中，所述第一介質層的聲阻抗和所述第二介質層的聲阻抗不同；

形成覆蓋所述交替層疊設置的第一介質層和第二介質層的所述第一電極層；

形成覆蓋所述第一電極層的所述第一壓電層；

形成覆蓋所述第一壓電層的第二電極層。

可選地，所述在所述第一表面依次形成所述第一諧振結構的第一反射結構、覆蓋所述第一反射結構的第一電極層、第一壓電層和第二電極層，包括：

在所述第一表面形成第一犧牲層；

形成覆蓋所述第一犧牲層的所述第一電極層；

形成覆蓋所述第一電極層的所述第一壓電層；

形成覆蓋所述第一壓電層的所述第二電極層；

去除所述第一犧牲層，基于所述第一犧牲層的形貌在所述第一電極層和所述第一表面之間形成第一空腔，以形成所述第一反射結構。

可選地，所述在所述第一表面依次形成所述第一諧振結構的第一反射結構、覆蓋所述第一反射結構的第一電極層、第一壓電層和第二電極層，包括：

刻蝕所述第一表面，以在所述第一表面形成凹槽；