[發(fā)明專利]發(fā)光器件及其制備方法和顯示裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911418399.4 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN112331699A | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-02-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃航;李哲;宋晶堯;付東 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32;H01L51/50;H01L51/56 |
| 代理公司: | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224 | 代理人: | 侯武嬌 |
| 地址: | 510000 廣東省廣州市廣州*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 發(fā)光 器件 及其 制備 方法 顯示裝置 | ||
1.一種發(fā)光器件,其特征在于,包括基板,以及設(shè)置在所述基板上的紅色量子點(diǎn)發(fā)光單元、綠色量子點(diǎn)發(fā)光單元、藍(lán)色有機(jī)發(fā)光單元和白色有機(jī)發(fā)光單元;所述紅色量子點(diǎn)發(fā)光單元、綠色量子點(diǎn)發(fā)光單元、藍(lán)色有機(jī)發(fā)光單元和白色有機(jī)發(fā)光單元在所述基板上的正投影不重疊;
所述白色有機(jī)發(fā)光單元包括層疊設(shè)置的第一陽(yáng)極、藍(lán)色有機(jī)發(fā)光材料層、第一陰極以及量子點(diǎn)濾光膜,所述量子點(diǎn)濾光膜中包含有量子點(diǎn)材料,所述量子點(diǎn)材料能夠在所述藍(lán)色有機(jī)發(fā)光材料層所發(fā)的藍(lán)光激發(fā)下發(fā)光并與所述藍(lán)色有機(jī)發(fā)光材料層所發(fā)的藍(lán)光混合形成白光。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,其特征在于,所述紅色量子點(diǎn)發(fā)光單元包括層疊設(shè)置的第二陽(yáng)極、紅色量子點(diǎn)發(fā)光層、第一界面層、第一電子傳輸層和第二陰極;所述綠色量子點(diǎn)發(fā)光單元包括層疊設(shè)置的第三陽(yáng)極、綠色量子點(diǎn)發(fā)光層、第二界面層、第二電子傳輸層和第三陰極;
其中,所述第一陽(yáng)極設(shè)置在所述基板與所述藍(lán)色有機(jī)發(fā)光材料層之間,且所述第二陽(yáng)極設(shè)置在所述基板與所述紅色量子點(diǎn)發(fā)光層之間,所述第三陽(yáng)極設(shè)置在所述基板與所述綠色量子點(diǎn)發(fā)光層之間;或者,
所述第一陰極設(shè)置在所述量子點(diǎn)濾光膜與所述藍(lán)色有機(jī)發(fā)光材料層之間,且所述第二陰極設(shè)置在所述基板與所述第一電子傳輸層之間,所述第三陰極設(shè)置在所述基板與所述第二電子傳輸層之間;
所述第一界面層和/或所述第二界面層的材料分別選自堿土金屬氧化物、堿土金屬氟化物、堿金屬氟化物和堿金屬碳酸鹽中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件,其特征在于,所述藍(lán)色有機(jī)發(fā)光單元包括層疊設(shè)置的第四陽(yáng)極、藍(lán)色有機(jī)發(fā)光層、第三界面層和第四陰極;
其中,所述第四陽(yáng)極設(shè)置在所述基板與所述藍(lán)色有機(jī)發(fā)光層之間,且所述第三陽(yáng)極設(shè)置在所述基板與所述綠色量子點(diǎn)發(fā)光層之間;或者,
所述第四陰極設(shè)置在所述基板與所述第三界面層之間,且所述第三陰極設(shè)置在所述基板與所述第二電子傳輸層之間;
所述第三界面層的材料選自所述堿土金屬氧化物、堿土金屬氟化物、堿金屬氟化物和堿金屬碳酸鹽中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件,其特征在于,所述藍(lán)色有機(jī)發(fā)光材料層與所述第一陰極之間設(shè)置有第四界面層;所述第四界面層的材料選自堿土金屬氧化物、堿土金屬氟化物、堿金屬氟化物和堿金屬碳酸鹽中的至少一種。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件,其特征在于,所述第一界面層和/或所述第二界面層和/或所述第三界面層和/或所述第四界面層的厚度大于0且小于或等于1nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,其特征在于,所述量子點(diǎn)材料包括共混的黃色量子點(diǎn)和綠色量子點(diǎn),或者共混的紅色量子點(diǎn)和綠色量子點(diǎn),或者黃綠色量子點(diǎn),或者紅綠色量子點(diǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件,其特征在于,所述量子點(diǎn)濾光膜中還包括聚合物基質(zhì)和光散射粒子,所述量子點(diǎn)材料和所述光散射粒子分散在所述聚合物基質(zhì)中。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件,其特征在于,所述聚合物基質(zhì)選自聚甲基丙烯酸甲酯、有機(jī)硅氧烷樹(shù)脂、丙烯酸酯類樹(shù)脂和環(huán)氧樹(shù)脂中的一種或幾種;所述光散射粒子選自納米SiO2、納米TiO2、納米ZrO2、納米Al2O3、納米Si3N4和納米TiN中的一種或幾種。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





