[發明專利]橫向擴散金屬氧化物半導體器件及其制備方法

有效

• 申請號: 201911418234.7
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN113130632B
• 公開（公告）日: 2022-08-12
• 發明（設計）人: 趙景川;張志麗;張森
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: H01L29/40
• 分類號: H01L29/40;H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 史治法

1.一種橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，包括：

第一導電類型的襯底；

第二導電類型的漂移區，位于所述第一導電類型的襯底內，所述第一導電類型和第二導電類型相反；

縱向浮空場板陣列，包括若干個呈多行多列間隔排布的縱向浮空場板結構，所述縱向浮空場板陣列的行方向為導電溝道的長度方向，列方向為所述導電溝道的寬度方向；所述縱向浮空場板結構包括設于溝槽內表面的介質層及填充于所述溝槽內的導電層，所述溝槽從所述第二導電類型的漂移區表面貫穿所述第二導電類型的漂移區并延伸至所述第一導電類型的襯底內；

若干個第一導電類型的注入區域，位于所述第二導電類型的漂移區內，且位于各行相鄰兩所述縱向浮空場板結構之間。

2.根據權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述第一導電類型的注入區域的寬度小于等于所述縱向浮空場板結構的寬度。

3.根據權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述縱向浮空場板陣列中，若干個所述縱向浮空場板結構沿行方向及列方向均等間距間隔排布。

4.根據權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述第一導電類型的注入區域的深度小于所述第二導電類型的漂移區的深度。

5.根據權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述第一導電類型的注入區域包括若干個沿所述第二導電類型的漂移區的深度方向排布的第一導電類型的子注入區域。

6.根據權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述第一導電類型的注入區域位于所述第二導電類型的漂移區的上部，且所述第一導電類型的注入區域的頂部與所述第二導電類型的漂移區的上表面相平齊或與所述第二導電類型的漂移區的上表面具有間距；或所述第一導電類型的注入區域位于所述第二導電類型的漂移區的中部；或所述第一導電類型的注入區域位于所述第二導電類型的漂移區的下部，且所述第一導電類型的注入區域的底部與所述第二導電類型的漂移區的下表面具有間距。

7.根據權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，各行中所述縱向浮空場板結構的數量等于所述縱向浮空場板陣列的列數，各列中所述縱向浮空場板結構的數量等于所述縱向浮空場板陣列的行數。

8.根據權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，還包括：

第一導電類型的阱區，位于所述第一導電類型的襯底內，且與所述第二導電類型的漂移區鄰接；

第二導電類型的阱區，位于所述第二導電類型的漂移區內，且位于所述縱向浮空場板陣列遠離所述第一導電類型的阱區一側，與所述縱向浮空場板陣列具有間距；

源區，位于所述第一導電類型的阱區內，且與所述第二導電類型的漂移區具有間距；

漏區，位于所述第二導電類型的阱區內；

第一導電類型的體區，位于所述第一導電類型的阱區內，且位于所述源區遠離所述縱向浮空場板陣列的一側，并與所述源區接觸；

場氧化層，位于所述第二導電類型的漂移區上，且覆蓋所述縱向浮空場板陣列；

柵極，跨設在所述源區和所述第一導電類型阱區上并延伸至所述場氧化層的表面。

9.根據權利要求8所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，還包括若干條設于所述場氧化層上的導電等勢條；各所述導電等勢條均沿所述導電溝道寬度方向延伸，且通過貫穿所述場氧化層的導電結構與位于其下方的一列所述縱向浮空場板結構電連接。

10.根據權利要求9所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，各所述導電等勢條在版圖上為圍成跑道結構的等勢環。

11.根據權利要求9所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，相鄰兩列所述導電等勢條的間距相等。