[發明專利]一種加熱電路

有效

• 申請號: 201911417576.7
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN113133137B
• 公開（公告）日: 2022-09-30
• 發明（設計）人: 左遠洋;尹坤任;侯俊峰;吳梁浩;于三營
• 申請（專利權）人: 廣東美的白色家電技術創新中心有限公司;美的集團股份有限公司
• 主分類號: H05B1/02
• 分類號: H05B1/02
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 黃景輝;張穎玲

1.一種加熱電路，其特征在于，所述加熱電路包括：逆變電路、至少一個子電路、第一電源及第二電源，其中，所述子電路包括：第一開關元件、第二開關元件、加熱元件及檢測元件；

所述加熱元件和所述檢測元件，并聯在第一節點和第二節點之間；所述第一節點與所述第一電源連接，其中，所述第一開關元件位于所述第一節點和所述第一電源的連接上；所述第二節點與接地點連接，其中，所述第二開關元件位于所述第二節點和所述接地點之間；

若所述第一開關元件導通，且所述第二開關元件導通時，所述第一電源、所述逆變電路與所述加熱元件連接成第一導通回路，所述第一電源通過所述第一導通回路給所述加熱元件供電，所述加熱元件基于所述第一電源的供電發熱，所述第一電源獲取的電壓為強電電壓；

若所述第一開關元件斷開，且所述第二開關元件斷開時，所述第二電源、所述檢測元件與所述加熱元件連接成第二導通回路，所述第二電源通過所述第二導通回路向所述加熱元件及所述檢測元件供電，所述第二電源獲取的電壓為弱電電壓。

2.根據權利要求1所述的加熱電路，其特征在于，其中，所述子電路為N個，N個子電路并聯連接；

其中，所述N為大于1的整數。

3.根據權利要求1所述的加熱電路，其特征在于，所述子電路，還包括：第三開關元件；

所述第三開關元件連接在所述第一節點和所述檢測元件之間；

若所述第一開關元件導通，且所述第二開關元件導通，及所述第三開關元件斷開時，所述第一電源、所述逆變電路與所述加熱元件連接成所述第一導通回路；

若所述第一開關元件斷開，且所述第二開關元件斷開，及所述第三開關元件導通時，所述第二電源、所述檢測元件與所述加熱元件連接成所述第二導通回路。

4.根據權利要求1所述的加熱電路，其特征在于，所述第一開關元件包括：

第一端，與所述加熱元件連接；

第二端，與所述逆變電路連接；

第三端，與所述檢測元件連接；

若所述第一端與所述第二端連接且所述第二開關元件導通，所述第一電源、所述逆變電路與所述加熱元件連接成所述第一導通回路；

若所述第一端與所述第三端連接且所述第二開關元件斷開，所述第二電源、所述檢測元件與所述加熱元件連接成所述第二導通回路。

5.根據權利要求1至4任一項所述的加熱電路，其特征在于，所述第一電源為用于提供第一電壓的電源，所述第二電源為用于提供第二電壓的電源；其中，所述第一電壓大于所述第二電壓；

或者，

所述第一電源通過所述第一導通回路給所述加熱元件供電時，流經所述加熱元件的電流為第一電流；

所述第二電源通過所述第二導通回路給所述加熱元件供電時，流經所述加熱元件的電流為第二電流；

其中，所述第一電流大于所述第二電流。

6.根據權利要求1所述的加熱電路，其特征在于，所述子電路還包括：第一MOS管、第二MOS管；

所述第一MOS管的漏極與所述第二電源連接，所述第一MOS管的源極分別與所述第二MOS管的漏極及所述第一開關元件連接；

所述第二MOS管的源極分別與所述接地點及所述檢測元件連接。

7.根據權利要求1或6所述的加熱電路，其特征在于，所述子電路還包括：第一電容；

所述第一電容連接在所述第二節點與所述檢測元件之間；其中，所述第一電容用于控制所述加熱元件的檢測電流的交變頻率。

8.根據權利要求1所述的加熱電路，其特征在于，所述逆變電路包括：第一IGBT和第二IGBT；

所述第一IGBT的集電極與所述第一電源連接，所述第一IGBT的發射極與所述第二IGBT的集電極連接；所述第二IGBT的發射極接地；

所述第一開關元件與所述第一IGBT的發射極連接，所述第二開關元件與所述第一IGBT的集電極連接。

9.根據權利要求1所述的加熱電路，其特征在于，所述加熱電路還包括：第二電容和第三電容；其中，

所述第二電容連接在所述第一電源與所述第二開關元件之間；

所述第三電容連接在所述第二電容與所述接地點之間；

其中，所述第二電容和所述第三電容共同用于控制所述加熱元件的加熱電流的交變頻率。