[發(fā)明專利]一種結(jié)型場效應(yīng)管及其靜電放電結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911416598.1
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111180509B
• 公開（公告）日: 2022-08-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡濤;陸陽
• 申請（專利權(quán)）人: 杰華特微電子股份有限公司
• 主分類號: H01L29/423
• 分類號: H01L29/423;H01L29/45;H01L29/808;H01L27/02
• 代理公司: 杭州鈐韜知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 33329
• 代理人: 唐靈;趙杰香

1.一種結(jié)型場效應(yīng)管，其特征在于：包括源極區(qū)、漏極區(qū)，以及設(shè)置在源極區(qū)和漏極區(qū)之間的第一柵極區(qū)，所述第一柵極區(qū)包括第一導(dǎo)電類型的第一勢阱和第一重摻區(qū)、第二導(dǎo)電類型的第二重摻區(qū)、以及柵電極，其中，所述第一重摻區(qū)和第二重摻區(qū)并列地設(shè)置于所述第一勢阱中，并和設(shè)置于所述第一柵極區(qū)表面的柵電極歐姆接觸，漂移區(qū)、第一勢阱和第二重摻區(qū)之間形成一個并聯(lián)在所述漏極區(qū)和所述第一柵極區(qū)之間的三極管，所述源極區(qū)包括設(shè)置在所述漂移區(qū)上具有第二導(dǎo)電類型的第二勢阱、設(shè)置在所述第二勢阱中具有第二導(dǎo)電類型的第三重摻區(qū)，以及與所述第三重摻區(qū)歐姆接觸的源電極，所述漏極區(qū)包括設(shè)置在所述漂移區(qū)上具有第二導(dǎo)電類型的第三勢阱、設(shè)置在所述第三勢阱中具有第二導(dǎo)電類型的第四重摻區(qū)，以及與所述第四重摻區(qū)歐姆接觸的漏電極，其中所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)非對稱的分布在所述第一柵極區(qū)的兩側(cè)。

2.如權(quán)利要求1所述的結(jié)型場效應(yīng)管，其特征在于：所述第一柵極區(qū)和所述漏極區(qū)之間設(shè)有隔離用的淺溝槽，所述淺溝槽分別向所述第一勢阱和第三勢阱橫向延伸至所述第二重摻區(qū)和所述第四重摻區(qū)，其中，所述淺溝槽在所述第三勢阱的橫向延伸長度至少大于所述淺溝槽在所述第一勢阱的橫向延伸長度。

3.如權(quán)利要求1所述的結(jié)型場效應(yīng)管，其特征在于：所述第四重摻區(qū)靠近所述第一柵極區(qū)的一側(cè)上還設(shè)有金屬硅化物阻擋層，該金屬硅化物阻擋層至少占據(jù)部分所述第四重摻區(qū)的表面，所述漏電極設(shè)置在所述第四重摻區(qū)的剩余部分上。

4.如權(quán)利要求1-3任意一項所述的結(jié)型場效應(yīng)管，其特征在于：所述結(jié)型場效應(yīng)管為N型溝道場效應(yīng)管，所述第一導(dǎo)電類型為P型，所述第二導(dǎo)電類型為N型，所述三極管為NPN三極管。

5.如權(quán)利要求4所述的結(jié)型場效應(yīng)管，其特征在于：所述NPN三極管用于將由所述漏電極涌入的正向ESD電流引流至所述柵電極進行泄放。

6.如權(quán)利要求1-3任意一項所述的結(jié)型場效應(yīng)管，其特征在于：所述結(jié)型場效應(yīng)管為P型溝道場效應(yīng)管，所述第一導(dǎo)電類型為N型，所述第二導(dǎo)電類型為P型，所述三極管為PNP三極管。

7.如權(quán)利要求6所述的結(jié)型場效應(yīng)管，其特征在于：所述PNP三極管用于將由所述漏電極涌入的反向ESD電流引流至所述柵電極進行泄放。

8.一種用于結(jié)型場效應(yīng)管的靜電放電結(jié)構(gòu)，所述結(jié)型場效應(yīng)管包括源極區(qū)、漏極區(qū)，以及設(shè)置在源極區(qū)和漏極區(qū)之間的第一柵極區(qū)，所述源極區(qū)和所述漏極區(qū)之間設(shè)有漂移區(qū)，該漂移區(qū)具有和所述第一柵極區(qū)不同的導(dǎo)電類型，其特征在于：所述靜電放電結(jié)構(gòu)包括并聯(lián)的設(shè)置在所述漏極區(qū)和所述第一柵極區(qū)之間的三極管，所述三極管包括由所述漂移區(qū)和所述柵極區(qū)構(gòu)成的第一PN結(jié)，和插入在所述柵極區(qū)中的第二PN結(jié)，其中所述第二PN結(jié)通過在第一柵極區(qū)注入與所述第一柵極區(qū)不同導(dǎo)電類型的重摻區(qū)形成，該第二PN結(jié)的一端歐姆連接在所述第一柵極區(qū)的柵電極上，另一端與所述第一PN結(jié)連接。

9.如權(quán)利要求8所述的靜電放電結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述結(jié)型場效應(yīng)管為N溝道型場效應(yīng)管，所述三極管為NPN三極管，該NPN三極管用于將由所述漏極區(qū)涌入的正向ESD電流引流至所述柵電極進行泄放。

10.如權(quán)利要求8所述的靜電放電結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述結(jié)型場效應(yīng)管為P溝道型場效應(yīng)管，所述三極管為PNP三極管，該PNP三極管用于將由所述漏極區(qū)涌入的反向ESD電流引流至所述柵電極進行泄放。