[發(fā)明專利]一種T型光刻圖形的根部腔壁角度調(diào)整及T型柵制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201911416568.0
• 申請(qǐng)日: 2019-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN111430227A
• 公開（公告）日: 2020-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 張亦斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第五十五研究所
• 主分類號(hào): H01L21/28
• 分類號(hào): H01L21/28;G02B5/18
• 代理公司: 南京君陶專利商標(biāo)代理有限公司 32215
• 代理人: 嚴(yán)海晨

1.一種T型光刻圖形的根部腔壁角度調(diào)整及T型柵制作方法，其特征是包括以下步驟：

（1）在制備器件所需的外延層的基底表面旋涂電子束負(fù)膠；

（2）用電子束直寫電子束負(fù)膠并顯影形成圖形；

（3）在圖形上涂第二層膠；

（4）采用用電子束直寫或傳統(tǒng)光刻對(duì)第二層膠曝光并顯影，形成T型光刻圖形；

（5）在T型光刻圖形上采用電子束蒸發(fā)，沉積相應(yīng)的柵金屬并剝離，形成T型金屬柵結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種T型光刻圖形的根部腔壁角度調(diào)整及T型柵制作方法，其特征是所述步驟（1）中外延層基底為氮化鎵基外延片、銦磷基外延片、砷化鎵基外延片或金剛石外延片中的一種；所述外延片的襯底材料為硅、藍(lán)寶石、碳化硅、氮化鎵或氮化鋁。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種T型光刻圖形的根部腔壁角度調(diào)整及T型柵制作方法，其特征是所述步驟（1）中電子束負(fù)膠型號(hào)為SAL601或HSQ。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種T型光刻圖形的根部腔壁角度調(diào)整及T型柵制作方法，其特征是所述步驟（2）中所述電子束在電子束負(fù)膠上直寫的圖形為所需圖形的兩側(cè)區(qū)域；所述兩側(cè)圖形之間距離為T型光刻圖形的根部的寬度；所述兩側(cè)圖形的寬度之和不小于第二層膠直寫或者光刻的寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種T型光刻圖形的根部腔壁角度調(diào)整及T型柵制作方法，其特征是所述步驟（2）中T型光刻圖形的根部腔壁角度θ通過調(diào)節(jié)電子束直寫的劑量或者顯影時(shí)間來調(diào)整。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種T型光刻圖形的根部腔壁角度調(diào)整及T型柵制作方法，其特征是所述步驟（3）中所述第二層膠為電子束正膠或傳統(tǒng)光刻膠。