[發明專利]一種T型光刻圖形的根部腔壁角度調整及T型柵制作方法在審
| 申請號: | 201911416568.0 | 申請日: | 2019-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN111430227A | 公開(公告)日: | 2020-07-17 |
| 發明(設計)人: | 張亦斌 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第五十五研究所 |
| 主分類號: | H01L21/28 | 分類號: | H01L21/28;G02B5/18 |
| 代理公司: | 南京君陶專利商標代理有限公司 32215 | 代理人: | 嚴海晨 |
| 地址: | 210016 *** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 光刻 圖形 根部 角度 調整 制作方法 | ||
1.一種T型光刻圖形的根部腔壁角度調整及T型柵制作方法,其特征是包括以下步驟:
(1)在制備器件所需的外延層的基底表面旋涂電子束負膠;
(2)用電子束直寫電子束負膠并顯影形成圖形;
(3)在圖形上涂第二層膠;
(4)采用用電子束直寫或傳統光刻對第二層膠曝光并顯影,形成T型光刻圖形;
(5)在T型光刻圖形上采用電子束蒸發,沉積相應的柵金屬并剝離,形成T型金屬柵結構。
2.根據權利要求1所述的一種T型光刻圖形的根部腔壁角度調整及T型柵制作方法,其特征是所述步驟(1)中外延層基底為氮化鎵基外延片、銦磷基外延片、砷化鎵基外延片或金剛石外延片中的一種;所述外延片的襯底材料為硅、藍寶石、碳化硅、氮化鎵或氮化鋁。
3.根據權利要求1所述的一種T型光刻圖形的根部腔壁角度調整及T型柵制作方法,其特征是所述步驟(1)中電子束負膠型號為SAL601或HSQ。
4.根據權利要求1所述的一種T型光刻圖形的根部腔壁角度調整及T型柵制作方法,其特征是所述步驟(2)中所述電子束在電子束負膠上直寫的圖形為所需圖形的兩側區域;所述兩側圖形之間距離為T型光刻圖形的根部的寬度;所述兩側圖形的寬度之和不小于第二層膠直寫或者光刻的寬度。
5.根據權利要求1所述的一種T型光刻圖形的根部腔壁角度調整及T型柵制作方法,其特征是所述步驟(2)中T型光刻圖形的根部腔壁角度θ通過調節電子束直寫的劑量或者顯影時間來調整。
6.根據權利要求1所述的一種T型光刻圖形的根部腔壁角度調整及T型柵制作方法,其特征是所述步驟(3)中所述第二層膠為電子束正膠或傳統光刻膠。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





