[發(fā)明專利]石墨烯鋁復(fù)合導(dǎo)線及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911415192.1 | 申請日: | 2019-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN111161903B | 公開(公告)日: | 2022-06-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳長科;盧科偉;李辰鵬;王成軍 | 申請(專利權(quán))人: | 新疆烯金石墨烯科技有限公司 |
| 主分類號: | H01B1/02 | 分類號: | H01B1/02;H01B1/04;H01B13/00;C23C28/00;C23C16/26 |
| 代理公司: | 北京華進(jìn)京聯(lián)知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11606 | 代理人: | 王勤思 |
| 地址: | 830001 新疆維吾爾自治區(qū)烏魯木*** | 國省代碼: | 新疆;65 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 石墨 復(fù)合 導(dǎo)線 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明公開了一種石墨烯鋁復(fù)合導(dǎo)線,為芯殼結(jié)構(gòu),所述芯殼結(jié)構(gòu)由內(nèi)至外包括鋁基體、圍繞所述鋁基體設(shè)置的中間金屬層以及圍繞所述中間金屬層設(shè)置的石墨烯層,所述中間金屬層中的金屬為銅和鎳中的一種或兩種。本發(fā)明還公開了一種石墨烯鋁復(fù)合導(dǎo)線的制備方法,包括:在所述鋁基體表面形成所述中間金屬層,所述中間金屬層將所述鋁基體包裹得到雙層結(jié)構(gòu);以及采用等離子體化學(xué)氣相沉積法在所述中間金屬層上形成所述石墨烯層。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及導(dǎo)線技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種石墨烯鋁復(fù)合導(dǎo)線及其制備方法。
背景技術(shù)
目前國內(nèi)外較常用的高架高壓輸電導(dǎo)線包括銅導(dǎo)線和鋁基體。與鋁基體相比,銅導(dǎo)線的導(dǎo)電性好,強(qiáng)度高。但是,銅導(dǎo)線的成本較高,且銅屬于戰(zhàn)略資源,而鋁資源豐富,分布廣泛,成本低。近年來,隨著高架高壓輸電線的懸掛跨度越來越大,對鋁基體電纜的性能提出了更高的要求。
石墨烯具有較高強(qiáng)度和良好的導(dǎo)電性,因此將其與純鋁或鋁復(fù)合材料復(fù)合,制備成石墨烯/鋁合金復(fù)合材料,可望用來改善鋁電纜的強(qiáng)度和導(dǎo)電性,使鋁基體的力學(xué)性能和電氣性能得到更好的匹配。石墨烯在鋁基體中的均勻分布成為石墨烯鋁復(fù)合材料制備過程中最大的難點,這嚴(yán)重影響到石墨烯的增強(qiáng)作用,粉末冶金法中將石墨烯粉末分布在鋁基體內(nèi)部,能夠發(fā)揮石墨烯的力學(xué)性能增強(qiáng)優(yōu)勢,但是對于導(dǎo)電性能卻無法有效提升。并且采用粉末冶金法制備石墨烯鋁復(fù)合材料中,由于石墨烯較大的比表面積,其在鋁基體中很容易發(fā)生團(tuán)聚現(xiàn)象,在粉末冶金工藝采用的機(jī)械球磨只是將增強(qiáng)相和基體相的粉末均勻地混合在一起,粉體間很難在球磨過程中就形成界面結(jié)合,從而影響石墨烯鋁復(fù)合材料的整體導(dǎo)電性。
發(fā)明內(nèi)容
基于此,有必要針對傳統(tǒng)方法制備的石墨烯鋁復(fù)合材料的導(dǎo)電性差的技術(shù)問題,提供一種石墨烯鋁復(fù)合導(dǎo)線及其制備方法。
一種石墨烯鋁復(fù)合導(dǎo)線,為芯殼結(jié)構(gòu),所述芯殼結(jié)構(gòu)由內(nèi)至外包括鋁基體、圍繞所述鋁基體設(shè)置的中間金屬層以及圍繞所述中間金屬層設(shè)置的石墨烯層,所述中間金屬層中的金屬為銅和鎳中的一種或兩種。
在其中一個實施例中,所述鋁基體為圓柱形。
在其中一個實施例中,所述鋁基體為實心結(jié)構(gòu)。
在其中一個實施例中,所述鋁基體的直徑為0.4mm~1mm。
在其中一個實施例中,所述中間金屬層的厚度為0.1μm~10μm。
在其中一個實施例中,所述石墨烯層的厚度為0.334nm~3nm。
一種所述的石墨烯鋁復(fù)合導(dǎo)線的制備方法,包括:
在所述鋁基體表面形成所述中間金屬層,所述中間金屬層將所述鋁基體包裹得到雙層結(jié)構(gòu);以及
采用等離子體化學(xué)氣相沉積法在所述中間金屬層上形成所述石墨烯層。
在其中一個實施例中,形成所述中間金屬層的方法為電鍍法或磁控濺射法。
在其中一個實施例中,在所述中間金屬層上形成所述石墨烯層的步驟包括:
在真空和等離子體氛圍下,通入工作氣體并帶入氣態(tài)碳源;
于450℃~400℃下在所述中間金屬層上形成所述石墨烯層。
在其中一個實施例中,所述工作氣體包括氫氣,以及任選的惰性氣體和氮氣中的一種或多種。
在其中一個實施例中,所述氣態(tài)碳源選自甲烷、甲醇、乙醇、甲酸甲酯、乙炔的一種或多種。
在其中一個實施例中,所述工作氣體的通入量為100sccm~300sccm,所述氣態(tài)碳源的通入量為5sccm~30sccm。
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