[發明專利]復合材料及其制備方法和應用、量子點發光二極管

有效

• 申請號: 201911414698.0
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN113130784B
• 公開（公告）日: 2022-09-06
• 發明（設計）人: 吳勁衡;吳龍佳;何斯納
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L51/50
• 分類號: H01L51/50
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 方良

本發明屬于納米材料技術領域，具體涉及一種復合材料及其制備方法和應用、量子點發光二極管。所述復合材料包括n型金屬氧化物納米顆粒和分散在所述n型金屬氧化物納米顆粒之間的立方烷類化合物；其中，所述立方烷類化合物為碳原子數不小于8的立方烷類化合物。該復合材料具有很好的電子傳輸性能，用于量子點發光二極管的電子傳輸層，可以提高電子傳輸效率，增加傳輸層的電荷傳輸通量，從而提高器件的發光性能。

技術領域

本發明屬于納米材料技術領域，具體涉及一種復合材料及其制備方法和應用、量子點發光二極管。

背景技術

量子點材料因具有獨特的光學特性而被廣泛應用于發光領域，用其作發光層可制成量子點發光二極管(QLED)。與有機電致發光二極管相比，量子點發光二極管具有發光光譜窄、色域廣、穩定性好、壽命長、制作成本低等優勢。其中，優化器件結構是提升QLED性能的一個大方向，如何通過優化電荷傳輸層來提高發光層的發光效率是最為重要的一個環節。

目前，ZnO、TiO₂等金屬氧化物半導體材料常被用于制備QLED電子傳輸層，然而這些材料雖然有禁帶寬度大、穩定性好、與量子點材料能級匹配度高等優點，但由于無機金屬氧化物納米材料表面缺陷較多、分散性較差、成膜均勻性較差，導致其電荷傳輸性能不如有機電子傳輸層材料。

發明內容

本發明的一個目的在于提供一種復合材料及其制備方法和應用，旨在解決現有n型金屬氧化物電子傳輸性能不理想的技術問題。

為實現上述發明目的，本發明采用的技術方案如下：

本發明一方面提供一種復合材料的制備方法，包括如下步驟：

配制含有n型金屬氧化物納米顆粒和立方烷類化合物的混合溶液；

將所述混合溶液進行固液分離，得到復合材料；

其中，所述立方烷類化合物為碳原子數不小于8的立方烷類化合物。

本發明提供的復合材料的制備方法將n型金屬氧化物納米顆粒與立方烷類化合物的共同分散在溶液中，經固液分離得到復合材料，該復合材料包括n型金屬氧化物納米顆粒和分散在所述n型金屬氧化物納米顆粒之間的立方烷類化合物，因該立方烷類化合物表面有豐富的電子云，可以跟n型氧化物納米顆粒表面的相對遠離電子的金屬原子產生相互作用力，從而使立方烷類化合物以較近的分子距離吸附在n型金屬氧化物納米顆粒表面，可以為n型金屬氧化物納米顆粒提供橋連效應，因此該制備方法得到的復合材料具有很好的電子傳輸性能，用于量子點發光二極管的電子傳輸層，可以提高電子傳輸效率，增加傳輸層的電荷傳輸通量，從而提高器件的發光性能。

本發明另一方面提供一種復合材料，所述復合材料包括n型金屬氧化物納米顆粒和分散在所述n型金屬氧化物納米顆粒之間的立方烷類化合物；其中，所述立方烷類化合物為碳原子數不小于8的立方烷類化合物。

本發明提供的復合材料包括n型金屬氧化物納米顆粒和分散在所述n型金屬氧化物納米顆粒之間的立方烷類化合物，該立方烷類化合物表面有豐富的電子云，可以跟n型氧化物納米顆粒表面的相對遠離電子的金屬原子產生相互作用力，從而使立方烷類化合物以較近的分子距離吸附在n型金屬氧化物納米顆粒表面，可以為n型金屬氧化物納米顆粒提供橋連效應，從而提高顆粒間的電子傳輸效率，將該復合材料用于量子點發光二極管的電子傳輸層，可以提高電子傳輸效率，增加傳輸層的電荷傳輸通量，從而提高器件的發光性能。

本發明的另一個目的在于提供一種量子點發光二極管，旨在解決量子點發光二極管的電子傳輸性能不理想的技術問題。為實現上述發明目的，本發明采用的技術方案如下：

本發明提供一種量子點發光二極管，包括陽極、陰極以及位于所述陽極和所述陰極之間的量子點發光層，所述陰極與所述量子點發光層之間設置有電子傳輸層，所述電子傳輸層由本發明所述的制備方法得到的復合材料或本發明所述的復合材料組成。