[發明專利]一種多基片的寬帶肖特基平衡式二倍頻結構

有效

• 申請號: 201911414093.1
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN110912515B
• 公開（公告）日: 2023-05-16
• 發明（設計）人: 田遙嶺;何月;蔣均
• 申請（專利權）人: 中國工程物理研究院電子工程研究所
• 主分類號: H03B19/16
• 分類號: H03B19/16
• 代理公司: 成都天嘉專利事務所(普通合伙) 51211
• 代理人: 蔣斯琪

1.一種多基片的寬帶肖特基平衡式二倍頻結構，其特征在于：包括雙層對稱的輸入探針結構、兩對相對稱的肖特基二極管、雙層對稱的懸置微帶電路以及雙層對稱的輸出探針結構；具體是：兩路輸入探針經過兩個傳輸線、兩個低通濾波器、兩個阻抗匹配通過兩對肖特基二極管，再連接兩個阻抗匹配、兩個傳輸線，最后通過兩路輸出探針；其中輸入探針結構為E面探針結構，雙層的E面探針結構在波導同一側實現傳輸線轉換，實現兩層基片端口上的信號相位差為0°；所述兩對肖特基二極管分別與兩路輸入探針結構的懸置端口連接，兩對肖特基二極管的朝向相反，極性也相反。

2.根據權利要求1所述的一種多基片的寬帶肖特基平衡式二倍頻結構，其特征在于：所述寬帶肖特基平衡式二倍頻結構的波導選用鋁，或者銅加工。

3.根據權利要求1所述的一種多基片的寬帶肖特基平衡式二倍頻結構，其特征在于：所述雙層E面探針結構的兩路輸入探針呈上下平行的關系。

4.根據權利要求1所述的一種多基片的寬帶肖特基平衡式二倍頻結構，其特征在于：所述雙層E面探針結構包含有兩個直流偏置端口，分別為雙層基片的直流供電；兩個懸置端口相互背向設置。

5.根據權利要求1所述的一種多基片的寬帶肖特基平衡式二倍頻結構，其特征在于：所述輸出探針結構設計為集成直流饋電端口。

6.根據權利要求5所述的一種多基片的寬帶肖特基平衡式二倍頻結構，其特征在于：所述輸出探針結構通過金絲跳線實現直流通路。

7.根據權利要求1所述的一種多基片的寬帶肖特基平衡式二倍頻結構，其特征在于：整個寬帶肖特基平衡式二倍頻結構的相對兩層基片間距中心對稱，并且該對稱面屬于等效磁壁。