[發(fā)明專利]具校正功能連續(xù)近似緩存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器及校正方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911412669.0 | 申請(qǐng)日： | 2019-12-31 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN113131933A | 公開(kāi)（公告）日： | 2021-07-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 鍾勇輝;曾啟峰 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院 |
| 主分類號(hào)： | H03M1/10 | 分類號(hào)： | H03M1/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人： | 李芳華 |
| 地址： | 中國(guó)臺(tái)*** | 國(guó)省代碼： | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 校正 功能 連續(xù) 近似 緩存 模擬 數(shù)字 轉(zhuǎn)換器 方法 | ||
1.一種連續(xù)近似緩存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器的校正方法，其中所述連續(xù)近似緩存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器包括至少一電容式數(shù)字至模擬轉(zhuǎn)換器以及控制器，所述至少一電容式數(shù)字至模擬轉(zhuǎn)換器包括對(duì)應(yīng)于Nd位的Nd個(gè)電容，其中Nd為正整數(shù)，所述連續(xù)近似緩存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器的電容校正方法包括：
將第z位至第(Nd-1)位的所述電容耦接第一參考電壓，根據(jù)第(z-1)位至第0位的所述電容的運(yùn)作產(chǎn)生第一數(shù)字碼，其中z為小于Nd的整數(shù)；
將第(i+1)位至所述第(Nd-1)位的所述電容耦接所述第一參考電壓，將第i位的所述電容耦接第二參考電壓，根據(jù)第(i-1)位至所述第0位的所述電容的運(yùn)作產(chǎn)生第二數(shù)字碼，其中i為小于Nd的整數(shù)，且z小于i；
根據(jù)所述第一數(shù)字碼與所述第二數(shù)字碼產(chǎn)生所述第i位的所述電容的電容權(quán)重；以及
根據(jù)所述第i位的所述電容的所述電容權(quán)重校正所述連續(xù)近似緩存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)近似緩存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器的校正方法，還包括多次執(zhí)行所述電容校正方法，以獲得所述第i位所述電容權(quán)重的平均值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)近似緩存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器的校正方法，其中將所述第z位至所述第(Nd-1)位的所述電容耦接所述第一參考電壓，根據(jù)所述第(z-1)位至所述第0位的所述電容的運(yùn)作產(chǎn)生所述第一數(shù)字碼包括：
將所述第(Nd-1)位至所述第0位的所述電容的第一端耦接輸入電壓，所述第(Nd-1)位至所述第0位的所述電容的第二端耦接所述第一參考電壓；
將所述第(Nd-1)位至所述第0位的所述電容的所述第一端斷開(kāi)所述輸入電壓；以及
利用所述第(z-1)位至所述第0位的電容所對(duì)應(yīng)的所述連續(xù)近似緩存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生所述第一數(shù)字碼。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的連續(xù)近似緩存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器的校正方法，其中將所述第(i+1)位至所述第(Nd-1)位的所述電容耦接所述第一參考電壓，將所述第i位的所述電容耦接所述第二參考電壓，根據(jù)所述第(i-1)位至所述第0位的所述電容的運(yùn)作產(chǎn)生所述第二數(shù)字碼包括：
將所述第(i+1)位至所述第(Nd-1)位的所述電容的第二端耦接所述第一參考電壓，將所述第i位的電容的第二端耦接至所述第二參考電壓；以及
利用所述第(i-1)位至所述第0位的所述電容所對(duì)應(yīng)的所述連續(xù)近似緩存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生所述第二數(shù)字碼。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的連續(xù)近似緩存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器的校正方法，其中所述至少一電容式數(shù)字至模擬轉(zhuǎn)換器包括第一電容式數(shù)字至模擬轉(zhuǎn)換器與第二電容式數(shù)字至模擬轉(zhuǎn)換器，其中將所述第i位的電容的所述第二端耦接所述第二參考電壓包括：
所述第一電容式數(shù)字至模擬轉(zhuǎn)換器的所述第i位的所述電容的第二端耦接所述第二參考電壓；以及
所述第二電容式數(shù)字至模擬轉(zhuǎn)換器的所述第i位的所述電容的第二端耦接第三參考電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的連續(xù)近似緩存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器的校正方法，其中所述連續(xù)近似緩存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器還包括比較器，所述輸入電壓由所述比較器的輸入共模電壓決定。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)近似緩存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器的校正方法，還包括：
產(chǎn)生所述第二數(shù)字碼后，將第(i+2)位至所述第(Nd-1)位的所述電容耦接所述第一參考電壓，將所述第(i+1)位的所述電容耦接所述第二參考電壓，根據(jù)所述第i位至所述第0位的所述電容的運(yùn)作產(chǎn)生第三數(shù)字碼；以及
根據(jù)所述第一數(shù)字碼與所述第三數(shù)字碼產(chǎn)生所述第(i+1)位的所述電容的電容權(quán)重。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連續(xù)近似緩存器模擬至數(shù)字轉(zhuǎn)換器的校正方法，還包括：
產(chǎn)生所述第二數(shù)字碼后，將所述第i位至所述第(Nd-1)位的所述電容耦接所述第一參考電壓，將所述第(i-1)位的所述電容耦接所述第二參考電壓，根據(jù)第(i-2)位至所述第0位的所述電容的運(yùn)作產(chǎn)生第三數(shù)字碼；以及
根據(jù)所述第一數(shù)字碼與所述第三數(shù)字碼產(chǎn)生所述第(i-1)位的所述電容的電容權(quán)重。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院，未經(jīng)財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911412669.0/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
