[發(fā)明專利]部件承載件及制造部件承載件的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911412393.6 | 申請日： | 2019-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN113130408A | 公開（公告）日： | 2021-07-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 米凱爾·圖奧米寧;鄭惜金 | 申請（專利權(quán)）人： | 奧特斯奧地利科技與系統(tǒng)技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/12 | 分類號： | H01L23/12;H01L23/14;H01L23/492 |
| 代理公司： | 成都超凡明遠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51258 | 代理人： | 王暉;劉鋒 |
| 地址： | 奧地利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 部件 承載 制造 方法 | ||
1.一種部件承載件(100)，其中，所述部件承載件(100)包括：
疊置件(102)，所述疊置件包括至少一個導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)(104)、第一電絕緣層結(jié)構(gòu)(108)和第二電絕緣層結(jié)構(gòu)(110)；
其中，所述第一電絕緣層結(jié)構(gòu)(108)由具有第一物理特性的材料制成；
其中，所述第二電絕緣層結(jié)構(gòu)(110)由具有與所述第一物理特性不同的第二物理特性的另一材料制成；
其中，所述第一電絕緣層結(jié)構(gòu)(108)和所述第二電絕緣層結(jié)構(gòu)(110)彼此至少部分地直接物理接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的部件承載件(100)，其中，所述第一電絕緣層結(jié)構(gòu)(108)和所述第二電絕緣層結(jié)構(gòu)(110)中的一者由低楊氏模量的材料制成；特別地，所述第一電絕緣層結(jié)構(gòu)(108)和所述第二電絕緣層結(jié)構(gòu)(110)中的僅一者由低楊氏模量的材料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的部件承載件(100)，其中，所述低楊氏模量的材料的楊氏模量值低于3GPa，特別是低于1GPa。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的部件承載件(100)，其中，所述第一電絕緣層結(jié)構(gòu)(108)和所述第二電絕緣層結(jié)構(gòu)(110)中的一者由高楊氏模量的材料制成；特別地，所述第一電絕緣層結(jié)構(gòu)(108)和所述第二電絕緣層結(jié)構(gòu)(110)中的僅一者由高楊氏模量的材料制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的部件承載件(100)，其中，所述高楊氏模量的材料的楊氏模量值高于3GPa，特別是高于5GPa，更特別是高于8GPa。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中的任一項所述的部件承載件(100)，其中，所述第一電絕緣層結(jié)構(gòu)(108)和所述第二電絕緣層結(jié)構(gòu)(110)中的一者由對于高頻具有低損耗的低損耗材料制成；特別地，所述第一電絕緣層結(jié)構(gòu)(108)和所述第二電絕緣層結(jié)構(gòu)(110)中的僅一者由對于高頻具有低損耗的低損耗材料制成。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的部件承載件(100)，其中，所述低損耗材料在1GHz的頻率下具有不大于0.004的損耗因子。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項所述的部件承載件(100)，其中，所述第一電絕緣層結(jié)構(gòu)(108)和所述第二電絕緣層結(jié)構(gòu)(110)中的一者由低收縮材料制成；特別地，所述第一電絕緣層結(jié)構(gòu)(108)和所述第二電絕緣層結(jié)構(gòu)(110)中的僅一者由低收縮材料制成，所述低收縮材料的固化收縮值小于1％，特別是小于0.5％，更特別是小于0.2％。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的部件承載件(100)，其中，所述低收縮材料是高楊氏模量的材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的部件承載件(100)，其中，所述第一電絕緣層結(jié)構(gòu)(108)和所述第二電絕緣層結(jié)構(gòu)(110)中的另一者由具有大于1％、特別是大于2％的固化收縮值的材料制成。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中的任一項所述的部件承載件(100)，其中，所述第一電絕緣層結(jié)構(gòu)(108)和所述第二電絕緣層結(jié)構(gòu)(110)中的一者由高導(dǎo)熱材料制成；特別地，所述第一電絕緣層結(jié)構(gòu)(108)和所述第二電絕緣層結(jié)構(gòu)(110)中的僅一者由高導(dǎo)熱材料制成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的部件承載件(100)，其中，所述高導(dǎo)熱材料的導(dǎo)熱率為至少1W/mK，特別是至少2W/mK。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中的任一項所述的部件承載件(100)，其中，所述第一電絕緣層結(jié)構(gòu)(108)和所述第二電絕緣層結(jié)構(gòu)(110)中的一者由高流動性材料制成；特別地，所述第一電絕緣層結(jié)構(gòu)(108)和所述第二電絕緣層結(jié)構(gòu)(110)中的僅一者由高流動性材料制成。
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