[發明專利]半導體納米材料的制備方法

在審

• 申請號: 201911412187.5
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN113122263A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 丘潔龍
• 申請（專利權）人: TCL集團股份有限公司
• 主分類號: C09K11/88
• 分類號: C09K11/88;C09K11/02;H01L33/28;B82Y30/00
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 張楊梅

本發明屬于顯示技術領域，尤其涉及一種半導體納米材料的制備方法。本發明提供的制備方法，包括：將ⅡB族前驅體、ⅥA族前驅體、胺類化合物和巰基化合物溶解于水溶液中，獲得前驅體溶液；ⅡB族前驅體的ⅡB族原子和胺類化合物的摩爾比為10:(10?30)；將前驅體溶液在巰基化合物的分解溫度以下進行第一加熱反應，然后升溫至巰基化合物的分解溫度以上并繼續進行第二加熱反應，獲得一維核殼半導體納米材料；一維核殼半導體納米材料包括：一維半導體納米晶核和包覆設置于一維半導體納米晶核表面的殼層，一維半導體納米晶核為ⅡB?ⅥA族半導體納米晶，殼層的材料為ⅡB族原子的硫化物。操作簡便，且由此可獲得尺寸分布小、大顆粒雜質少、成膜性好的半導體納米材料。

技術領域

本發明屬于顯示技術領域，尤其涉及一種半導體納米材料的制備方法。

背景技術

由于具有激發光譜寬、發射光譜窄、發光波長可調、發光效率高等光學特性，ⅡB-ⅥA族半導體納米晶有望取代傳統的稀土摻雜氧化物發光材料，制備新型的發光二極管，并逐步應用在電視機、筆記本電腦、移動通訊設備等其他顯示設備領域，成為信息時代的關鍵顯示材料。

由于一維半導體納米晶材料能為電子運輸提供自然通道，電子在一維半導體納米晶中傳輸阻力小，遷移速率快，可優化光電器件的性能。同時，一維納米晶在成膜制備光電器件過程中，容易發生相互交叉，這使得材料的成膜性能更好，光電器件性能也得以優化。近年來，一維半導體納米晶光電材料了受到廣泛的關注。當前，研究人員嘗試了多種方法制備一維半導體納米晶，例如模板法、溶劑熱法、電沉積法等，但是，現有的制備方法比較繁瑣，且得到的一維半導體納米晶尺寸分布寬，大顆粒雜質多，純度低。

發明內容

本發明的主要目的在于提供一種半導體納米材料的制備方法、半導體納米材料、發光薄膜和顯示器件。

為實現上述發明目的，本發明采用的技術方案如下：

一種半導體納米材料的制備方法，包括以下步驟：

將ⅡB族前驅體、ⅥA族前驅體、胺類化合物和巰基化合物溶解于水溶液中，獲得前驅體溶液；

將所述前驅體溶液在所述巰基化合物的分解溫度以下進行第一加熱反應，然后升溫至所述巰基化合物的分解溫度以上并繼續進行第二加熱反應，得到所述半導體納米材料。

本發明提供的半導體納米材料的制備方法，通過將溶解有ⅡB族前驅體、ⅥA族前驅體、胺類化合物和巰基化合物的前驅體溶液依次進行第一加熱反應和第二加熱反應，并調整控制反應溫度，以及調整胺類化合物的用量配比，合成了具有核殼結構的一維半導體納米材料，工藝優化，操作簡便，而且，由此得到的半導體納米材料尺寸分布小，大顆粒雜質少，純度高，形貌規整，成膜性好。

相應的，一種半導體納米材料，由上述制備方法制得的，包括：ⅡB-ⅥA族半導體納米晶和包覆設置于所述ⅡB-ⅥA族半導體納米晶表面的ⅡB族原子的硫化物殼層。

本發明提供的由上述制備方法制得的半導體納米材料尺寸分布小，大顆粒雜質少，純度高，形貌規整，成膜性好。

相應的，一種發光薄膜，所述發光薄膜的材料包括：前述制備方法制得的半導體納米材料或上述半導體納米材料。

本發明提供的發光薄膜，其材料為上述制備方法制得的半導體納米材料，發射光譜窄，電子遷移速率高，發光效率高。

相應的，一種顯示器件，包括：發光層，所述發光層為上述發光薄膜。

本發明提供的顯示器件，其發光層上述發光薄膜，可從整體上提高顯示器件的發光性能。

附圖說明

圖1為本發明實施例提供的一種半導體納米材料的制備方法的流程圖；

圖2為本發明實施例提供的一種顯示器件的結構簡圖。

具體實施方式