[發(fā)明專利]提高單晶硅品質(zhì)的熱場及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201911410265.8
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN110923807B
• 公開（公告）日: 2021-06-08
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 閆廣寧;楊紅濤;董永見
• 申請（專利權(quán)）人: 寧晉晶興電子材料有限公司
• 主分類號: C30B15/14
• 分類號: C30B15/14;C30B29/06
• 代理公司: 北京市萬慧達律師事務(wù)所 11111
• 代理人: 張一帆

1.一種提高單晶硅品質(zhì)的方法，其特征在于，包括以下步驟：

安裝熱場，并對熱場進行調(diào)整；

清潔多晶硅料，并進行清爐、裝料、化料、二次加料、引頸、放肩、等徑、收尾和提出的環(huán)節(jié)；

其中，所述熱場包括石英坩堝以及同軸等徑設(shè)置的主加熱器和副加熱器，所述主加熱器相對于所述石英坩堝的中上部設(shè)置，由若干個等長的主加熱瓣環(huán)設(shè)而成，所述副加熱器相對于所述石英坩堝的下部設(shè)置，由若干個等長的副加熱瓣環(huán)設(shè)而成，所述主加熱器和所述副加熱器的表面還噴涂有用以避免碳揮發(fā)的耐高溫水基納米涂層；

所述調(diào)整為：縮短所述主加熱瓣的長度，縮短所述副加熱瓣的長度，同時降低由所述主加熱器和所述副加熱器所形成的加熱中心的高度；

另外，在所述等徑的環(huán)節(jié)中，關(guān)停所述副加熱器，降低拉速，僅通過所述主加熱器維持熱場溫度；

所述石英坩堝為高純石英堝，所述高純石英堝的內(nèi)層砂為高純石英砂，所述內(nèi)層砂的占比為90-100wt%；

所述耐高溫水基納米涂層的材質(zhì)為二氧化鋯。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述高純石英堝的制備方法包括采用石英砂成型石英堝坯，再采用高純石英砂經(jīng)過電弧法高溫打底成型石英堝內(nèi)層砂的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述打底成型的起弧功率為800-1200KW，熔制功率為1000-1500KW，熔制時間為6-10s。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述熱場還包括保溫筒和大蓋，所述保溫筒、大蓋以及所述主加熱器和所述副加熱器均為石墨件，且所述保溫筒和所述大蓋的表面也分別涂有用以避免碳揮發(fā)的耐高溫水基納米涂層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述化料環(huán)節(jié)采用分體式兩步加熱，所述二次加料環(huán)節(jié)為先進行環(huán)形組合式加料，再進行加料器加料，在所述化料環(huán)節(jié)的第二步加熱過程中以及所述加料器加料的過程中均同時通入用以帶走硅氧化物和雜質(zhì)揮發(fā)物的惰性氣體。