[發(fā)明專利]一種消除直流失調(diào)電壓全差分運(yùn)算放大器電路有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201911409900.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-12-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111030610B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-05-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫偉;黃繼成 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海磐啟微電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H03F1/30 | 分類號(hào): | H03F1/30;H03F1/26;H03F3/45 |
| 代理公司: | 上海旭誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31220 | 代理人: | 鄭立 |
| 地址: | 201210 上海市浦東新區(qū)中國(guó)(上海)自由*** | 國(guó)省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 消除 直流 失調(diào) 電壓 全差分 運(yùn)算放大器 電路 | ||
1.一種消除直流失調(diào)電壓全差分運(yùn)算放大器電路,其特征在于,包括第一級(jí)運(yùn)放模塊、第二級(jí)運(yùn)放模塊和直流失調(diào)信號(hào)放大模塊和共模反饋運(yùn)放模塊,所述第一級(jí)運(yùn)放模塊差分輸入端接收差分輸入信號(hào),所述第一級(jí)運(yùn)放模塊差分輸出端電連接至所述第二級(jí)運(yùn)放模塊差分輸入端,所述第二級(jí)運(yùn)放模塊差分輸出端輸出差分輸出信號(hào),所述直流失調(diào)信號(hào)放大模塊通過(guò)采集所述差分輸出信號(hào),并進(jìn)行濾波以取得直流失調(diào)信號(hào),經(jīng)放大后送至所述第一級(jí)運(yùn)放模塊差分輸出端;
所述第一級(jí)運(yùn)放模塊包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和第六NMOS管,所述第一NMOS管和第二NMOS管的柵極作為所述第一級(jí)運(yùn)放模塊差分輸入端接收所述差分輸入信號(hào),所述第一NMOS管和第二NMOS管的源極并接與所述第六NMOS管的漏極電連接,所述第六NMOS管的源極接地,所述第一NMOS管的漏極與所述第一PMOS管的漏極并接作為所述第一級(jí)運(yùn)放模塊差分輸出端的一端與所述第二級(jí)運(yùn)放模塊差分輸入端的一端電連接,所述第二NMOS管的漏極與所述第二PMOS管的漏極并接作為所述第一級(jí)運(yùn)放模塊差分輸出端的另一端與所述第二級(jí)運(yùn)放模塊差分輸入端的另一端電連接,所述第一PMOS管和第二PMOS管的源極接入電源,所述第一PMOS管和第二PMOS管的柵極并接引入所述共模電壓VCM,所述第六NMOS管的柵極引入偏置電壓VB;
所述第二級(jí)運(yùn)放模塊包括第三PMOS管、第四PMOS管、第五NMOS管和第八NMOS管,所述第三PMOS管和第四PMOS管的柵極作為所述第二級(jí)運(yùn)放模塊差分輸入端與所述第一級(jí)運(yùn)放模塊差分輸出端電連接,所述第五NMOS管的漏極與所述第三PMOS管的漏極并接作為所述第二級(jí)運(yùn)放模塊差分輸出端的一端,所述第八NMOS管的漏極與所述第四PMOS管的漏極并接作為所述第一級(jí)運(yùn)放模塊差分輸出端的另一端,所述第三PMOS管和第四PMOS管的源極接入電源,所述第五NMOS管和第八NMOS管的源極接地,所述第五NMOS管和第八NMOS管的柵極引入偏置電壓VB,所述第三PMOS管的柵極和漏極依次接入米勒補(bǔ)償電容CC和調(diào)零電阻RZ,所述第四PMOS管的柵極和漏極依次接入另一米勒補(bǔ)償電容CC和另一調(diào)零電阻RZ;
所述直流失調(diào)信號(hào)放大模塊包括直流失調(diào)信號(hào)差分放大器、第七NMOS管和直流失調(diào)信號(hào)采樣模塊,所述直流失調(diào)信號(hào)差分放大器差分輸入端接收通過(guò)所述直流失調(diào)信號(hào)采樣模塊獲得的所述直流失調(diào)信號(hào),所述直流失調(diào)信號(hào)差分放大器差分輸出端電連接至所述第一級(jí)運(yùn)放模塊差分輸出端,所述直流失調(diào)信號(hào)差分放大器公共端電連接至所述第七NMOS管漏極,所述第七NMOS管源極接地,所述第七NMOS管的柵極引入偏置電壓VB;
所述共模反饋運(yùn)放模塊包括第五PMOS管、第六PMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管和輸出信號(hào)采樣模塊,所述輸出信號(hào)采樣模塊采集所述差分輸出信號(hào),抵消差分信號(hào)后獲得所述反饋電壓vfb,所述第九NMOS管的柵極引入所述參考電壓,所述第十NMOS管的柵極接收所述反饋電壓vfb,所述第九NMOS管和第十NMOS管的源極并接與所述第十一NMOS管的漏極電連接,所述第九NMOS管的漏極與所述第五PMOS管的柵極和漏極并接,所述第十NMOS管的漏極與所述第六PMOS管的柵極和漏極并接輸出所述共模電壓VCM,所述第五PMOS管和第六PMOS管的源極接入電源,所述第十一NMOS管的源極接地,所述第十一NMOS管的柵極引入偏置電壓VB。
2.如權(quán)利要求1所述的消除直流失調(diào)電壓全差分運(yùn)算放大器電路,其特征在于,還包括共模反饋運(yùn)放模塊,所述共模反饋運(yùn)放模塊通過(guò)采集所述差分輸出信號(hào)得到反饋電壓vfb,經(jīng)與參考電壓VREF比較放大后作為共模電壓VCM送至所述第一級(jí)運(yùn)放模塊。
3.如權(quán)利要求1所述的消除直流失調(diào)電壓全差分運(yùn)算放大器電路,其特征在于,所述直流失調(diào)信號(hào)差分放大器包括第三NMOS管和第四NMOS管,所述第三NMOS管和第四NMOS管的柵極作為所述直流失調(diào)信號(hào)差分放大器差分輸入端引入所述直流失調(diào)信號(hào),所述第三NMOS管和第四NMOS管的漏極作為所述直流失調(diào)信號(hào)差分放大器差分輸出端送至所述第一級(jí)運(yùn)放模塊差分輸出端,所述第三NMOS管和第四NMOS管的源極并接作為所述直流失調(diào)信號(hào)差分放大器公共端。
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