[發(fā)明專利]一種復(fù)合材料、量子點發(fā)光二極管及其制備方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911409085.8 | 申請日: | 2019-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN113130781B | 公開(公告)日: | 2022-11-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 郭煜林;吳龍佳;張?zhí)焖?/a>;李俊杰 | 申請(專利權(quán))人: | TCL科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/50 | 分類號: | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳市君勝知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268 | 代理人: | 王永文 |
| 地址: | 516006 廣東省惠州市*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 復(fù)合材料 量子 發(fā)光二極管 及其 制備 方法 | ||
1.一種復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,包括步驟:
提供ZnO納米顆粒、Au源;所述Au源選自塊體Au和Au粒子中的至少一種;
將ZnO納米顆粒、Au源、S源與第一有機溶劑混合,進行水熱反應(yīng),制得所述復(fù)合材料;
所述水熱反應(yīng)的溫度為300-350℃;所述ZnO納米顆粒、Au源、S源的摩爾比為1:0.1-0.5:0.01-0.1;水熱反應(yīng)時間為1-3h;
所述復(fù)合材料包括以ZnO納米顆粒為核材料的核和形成于所述核表面的殼;所述殼材料為ZnS和Au;其中,所述殼包括ZnS層與負載在所述ZnS層表面呈孤立分布的Au原子或Au微團簇,所述ZnS層包覆在所述核表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述S源選自硫化鈉、硫脲、硫代乙酰胺和L-半胱氨酸中的至少一種;和/或
所述第一有機溶劑包括油胺和十八烯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述ZnO納米顆粒的制備方法包括步驟:向鋅鹽的分散液中加入堿液至形成透明溶液,純化處理,得到所述ZnO納米顆粒。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法,其特征在于,所述鋅鹽選自氯化鋅、硝酸鋅、醋酸鋅、硫酸鋅和二水合乙酸鋅中的至少一種;和/或
所述堿液中的堿選自氫氧化鉀、氫氧化納、氨水和四甲基氫氧化銨中的至少一種;和/或
所述鋅鹽與所述堿液中的OH-的摩爾比為1:1.5-3.0。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述Au源的制備方法包括步驟:將氯金酸與第一有機溶劑混合,進行氧化還原反應(yīng),得到所述Au源。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的復(fù)合材料的制備方法,其特征在于,所述復(fù)合材料的粒徑為15-40 nm。
7.一種量子點發(fā)光二極管,其特征在于,包括陰極、陽極設(shè)置在所述陰極與所述陽極之間的量子點發(fā)光層,以及設(shè)置在所述陰極與所述量子點發(fā)光層之間的電子傳輸層,其中,所述電子傳輸層包括如權(quán)利要求1-5任一項所述的制備方法制備得到的復(fù)合材料。
8.一種量子點發(fā)光二極管的制備方法,其特征在于,包括步驟:
提供陽極;
在所述陽極上制備量子點發(fā)光層;
在所述量子點 發(fā)光層上制備電子傳輸層,所述電子傳輸層包括如權(quán)利要求1-5任一項所述的制備方法制備得到的復(fù)合材料;
在所述電子傳輸層上制備陰極;或者,
提供陰極;
在所述陰極上制備電子傳輸層,所述電子傳輸層包括如權(quán)利要求1-5任一項所述的制備方法制備得到的復(fù)合材料;
在所述電子傳輸層上制備量子點發(fā)光層;
在所述電子傳輸層上制備陽極。
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