[發(fā)明專利]量子點材料及其制備方法和薄膜、量子點發(fā)光二極管

有效

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• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN113122229B
• 公開（公告）日: 2023-04-18
• 發(fā)明（設計）人: 吳勁衡;吳龍佳;何斯納
• 申請（專利權）人: TCL科技集團股份有限公司
• 主分類號: C09K11/02
• 分類號: C09K11/02;C09K11/88;C09K11/56;H10K50/115;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 方良

1.一種量子點材料，其特征在于，包括量子點和結合在所述量子點表面的至少一個給電子基團取代的立方烷類化合物；其中，所述立方烷類化合物為碳原子數不小于8的立方烷類化合物，所述立方烷類化合物中至少有一個給電子基團與所述量子點表面結合，所述給電子基團選自巰基、羧基、胺基和膦基中的至少一種。

2.如權利要求1所述的量子點材料，其特征在于，所述碳原子數不小于8的立方烷類化合物包括：碳原子數為8的立方烷、碳原子數大于8的有碳支鏈的立方烷和碳原子數大于8的無碳支鏈或有碳支鏈的高立方烷中的至少一種。

3.如權利要求2所述的量子點材料，其特征在于，所述碳原子數大于8的有碳支鏈的立方烷中，碳支鏈為1-4個碳的支鏈；和/或，

所述碳原子數大于8的無碳支鏈的高立方烷選自9-20個碳的高立方烷；和/或，

所述碳原子數大于8的有碳支鏈的高立方烷中，碳支鏈為1-4個碳的支鏈。

4.如權利要求1-3任一項所述的量子點材料，其特征在于，所述量子點選自IV族量子點、II-VI族量子點、III-V族量子點、IV-VI族量子點和鈣鈦礦量子點中的至少一種；和/或，

每個所述立方烷類化合物有1-6個所述給電子基團取代。

5.一種量子點材料的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

配制初始量子點溶液，所述初始量子點溶液中的量子點表面結合有初始配體；

將至少一個給電子基團取代的立方烷類化合物加入到所述初始量子點溶液中，進行配體交換反應，然后固液分離，得到量子點材料；

其中，所述立方烷類化合物為碳原子數不小于8的立方烷類化合物，所述給電子基團選自巰基、羧基、胺基和膦基中的至少一種。

6.如權利要求5所述的量子點材料的制備方法，其特征在于，所述碳原子數不小于8的立方烷類化合物包括：碳原子數為8的立方烷、碳原子數大于8的有碳支鏈的立方烷和碳原子數大于8的無碳支鏈或有碳支鏈的高立方烷中的至少一種；和/或，

每個所述立方烷類化合物有1-6個所述給電子基團取代。

7.如權利要求6所述的量子點材料的制備方法，其特征在于，所述碳原子數大于8的有碳支鏈的立方烷中，碳支鏈為1-4個碳的支鏈；和/或，

所述碳原子數大于8的無碳支鏈的高立方烷選自9-20個碳的高立方烷；和/或，

所述碳原子數大于8的有碳支鏈的高立方烷帶碳支鏈的立方烷中，碳支鏈為1-4個碳的支鏈。

8.如權利要求5所述的量子點材料的制備方法，其特征在于，所述初始量子點溶液的量子點濃度范圍為10~100mg/ml；和/或，

所述初始配體選自脂肪酸配體、硫醇配體、脂肪胺配體、有機膦配體、磷脂配體和聚乙烯基吡啶中的至少一種；和/或，

將立方烷類化合物加入到所述初始量子點溶液中的步驟中，所述立方烷類化合物配體的添加量為所述初始量子點溶液中量子點質量的0.5%~5%。

9.一種薄膜，所述薄膜為量子點薄膜，其特征在于，所述量子點薄膜由權利要求1-4任一項所述的量子點材料或權利要求5-8任一項所述的量子點材料的制備方法得到的量子點材料組成。

10.一種量子點發(fā)光二極管，包括陽極、陰極、以及位于所述陽極和所述陰極之間的量子點發(fā)光層，其特征在于，所述量子點發(fā)光層由權利要求1-4任一項所述的量子點材料或權利要求5-8任一項所述的量子點材料的制備方法得到的量子點材料組成。