[發明專利]一種等離子體刻蝕殘留物清洗液在審
| 申請號: | 201911407714.3 | 申請日: | 2019-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN113130292A | 公開(公告)日: | 2021-07-16 |
| 發明(設計)人: | 肖林成;劉兵;彭洪修;張維棚;趙鵬 | 申請(專利權)人: | 安集微電子科技(上海)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/02 | 分類號: | H01L21/02;H01L21/311;C09K13/00 |
| 代理公司: | 北京大成律師事務所 11352 | 代理人: | 李佳銘;王芳 |
| 地址: | 201201 上海市浦東新區華東路*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 等離子體 刻蝕 殘留物 清洗 | ||
1.一種等離子體刻蝕殘留物清洗液,其特征在于,包括氧化劑、pH調節劑、穩定劑、有機酸銨鹽、金屬緩蝕劑、以及水。
2.如權利要求1所述的等離子體刻蝕殘留物清洗液,其特征在于,所述氧化劑的質量濃度為0.1wt%-30wt%。
3.如權利要求1所述的等離子體刻蝕殘留物清洗液,其特征在于,所述氧化劑為H2O2、N-甲基嗎啉氧化物、過氧化苯甲酰、過氧單硫酸四丁銨、臭氧、高錳酸、高氯酸、碘酸、高碘酸、過硫酸、過氧二硫酸銨、過乙酸、過氧化脲、硝酸、次氯酸銨、氯酸銨、碘酸銨、高氯酸銨、高碘酸銨、亞氯酸四甲銨、氯酸四甲銨、碘酸四甲銨、過硼酸四甲銨、高氯酸四甲銨、高碘酸四甲銨、過硫酸四甲銨、過氧乙酸、過氧苯甲酸、四氧嘧啶中的一種或多種。
4.如權利要求3所述的等離子體刻蝕殘留物清洗液,其特征在于,所述氧化劑為H2O2。
5.如權利要求1所述的等離子體刻蝕殘留物清洗液,其特征在于,所述有機酸銨鹽的質量濃度為0.01wt%-50wt%。
6.如權利要求1所述的等離子體刻蝕殘留物清洗液,其特征在于,所述有機酸銨鹽為甲酸銨、草酸銨、乳酸銨、酒石酸銨、檸檬酸三銨、乙酸銨、氨基甲酸銨、碳酸銨、苯甲酸銨、乙二胺四乙酸四銨、乙二胺四乙酸三銨、乙二胺四乙酸二銨、琥珀酸銨、1-H-吡唑-3-甲酸銨、丙二酸銨、己二酸銨、亞氨基二乙酸銨中的一種或多種。
7.如權利要求1所述的等離子體刻蝕殘留物清洗液,其特征在于,所述pH調節劑的質量濃度為0.1wt%-20wt%。
8.如權利要求1所述的等離子體刻蝕殘留物清洗液,其特征在于,所述pH調節劑為堿性調節劑。
9.如權利要求8所述的等離子體刻蝕殘留物清洗液,其特征在于,所述pH調節劑為季胺氫氧化物、有機胺、有機醇胺中的一種或多種。
10.如權利要求9所述的等離子體刻蝕殘留物清洗液,其特征在于,所述季胺氫氧化物為四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、三甲基苯基氫氧化銨、芐基三甲基氫氧化銨、芐基三乙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、四丁基氫氧化磷、膽堿氫氧化物、氫氧化銨、十二烷基三甲基氫氧化銨、十六烷基三甲基氫氧化銨中的一種或多種。
11.如權利要求9所述的等離子體刻蝕殘留物清洗液,其特征在于,所述有機胺為單乙胺、二乙胺、三乙胺、三丙胺、N'N-二乙基乙二胺、羥乙基乙二胺、環己胺、1,2-丙二胺、五甲基二乙烯三胺中的一種或多種。
12.如權利要求9所述的等離子體刻蝕殘留物清洗液,其特征在于,所述有機醇胺為單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、N-甲基乙醇胺中的一種或多種。
13.如權利要求9所述的等離子體刻蝕殘留物清洗液,其特征在于,所述pH調節劑為金屬離子含量小于50ppb的堿性pH調節劑。
14.如權利要求1所述的等離子體刻蝕殘留物清洗液,其特征在于,所述穩定劑的質量濃度為0.05-1000ppm。
15.如權利要求14所述的等離子體刻蝕殘留物清洗液,其特征在于,所述穩定劑的質量濃度為0.1-100ppm。
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