[發明專利]一種高性能的正負倍壓電荷泵電路

有效

• 申請號: 201911406924.0
• 申請日: 2019-12-31
• 公開（公告）號: CN111146941B
• 公開（公告）日: 2022-05-03
• 發明（設計）人: 金湘亮;于云;張文杰;謝亮
• 申請（專利權）人: 湖南芯力特電子科技有限公司
• 主分類號: H02M3/07
• 分類號: H02M3/07
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

1.一種高性能的正負倍壓電荷泵電路，其特征是，包括電源、第一時鐘信號、第二時鐘信號、第三時鐘信號、第四時鐘信號、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第一電容、第二電容、第三電容、第四電容；

第一PMOS管的源端、第二PMOS管的源端、第三PMOS管的漏端與第一電容的一端相連，交點為M1；第一PMOS管的漏端、第一NMOS管的漏端和第二電容的一端相連，交點為M3；第一PMOS管的柵極、第四PMOS管的柵極、第二PMOS管的柵極與第一時鐘信號相連；

第一NMOS管的柵極、第二NMOS管的柵極、第四NMOS管的柵極與第三時鐘信號相連；第一NMOS管的源端、第二NMOS管的源端接地；

第二NMOS管的漏端、第四PMOS管的漏端與第一電容的另一端相連，交點為M2；

第四PMOS管的源端與第三PMOS管的源端接電源；

第三PMOS管的柵極接第二時鐘信號；

第二PMOS管的漏端、第三電容的一端與第一輸出端相連；

第三NMOS管的柵極接第四時鐘信號；第三NMOS管的漏端、第四NMOS管的漏端與第二電容的另一端相連，交點為M4；第三NMOS管的源端接地；

第四NMOS管源端、第四電容的一端與第二輸出端相連；

第三電容的另一端、第四電容的另一端接地；

第四PMOS管的襯底接電源；第一NMOS管的襯底、第二NMOS管的襯底接地。

2.根據權利要求1所述的高性能的正負倍壓電荷泵電路，其特征是，第一PMOS管的襯底、第二PMOS管的襯底、第三PMOS管的襯底接第一輸出端；第三NMOS管的襯底、第四NMOS管的襯底接第二輸出端。

3.根據權利要求1所述的高性能的正負倍壓電荷泵電路，其特征是，第一時鐘信號、第二時鐘信號、第三時鐘信號和第四時鐘信號為兩相非交疊時鐘信號且最高電位都等于第一輸出端的電位，最低電位都等于第二輸出端的電位，第一時鐘信號與第四時鐘信號相位相反，第二時鐘信號和第三時鐘信號相位相反。

4.根據權利要求1所述的高性能的正負倍壓電荷泵電路，其特征是，所述第一電容、第二電容、第三電容和第四電容是片內電容或片外電容。

5.根據權利要求1所述的高性能的正負倍壓電荷泵電路，其特征是，所述第一~第四PMOS管的耐壓值不小于12V；所述第一~第四NMOS管的耐壓值不小于12V。

6.根據權利要求1所述的高性能的正負倍壓電荷泵電路，其特征是，所述電源的電壓為2.5-5V。

7.根據權利要求1所述的高性能的正負倍壓電荷泵電路，其特征是，在一個周期內，所述第一~第四時鐘信號的狀態為：

充電時刻，第一時鐘信號為高電平，第二時鐘信號為低電平，第三時鐘信號為高電平，第四時鐘信號為低電平；

等待時刻，第一時鐘信號為高電平，第二時鐘信號為高電平，第三時鐘信號為低電平，第四時鐘信號為低電平；

放電時刻，第一時鐘信號為低電平，第二時鐘信號為高電平，第三時鐘信號為低電平，第四時鐘信號為高電平；

等待時刻，第一時鐘信號為高電平，第二時鐘信號為高電平，第三時鐘信號為低電平，第四時鐘信號為低電平。