[發明專利]一種低熔點高導電高導熱金屬納米顆粒的制備方法

在審

• 申請號: 201911405428.3
• 申請日: 2019-12-30
• 公開（公告）號: CN111112632A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 蔣建中;宗俊杰;王曉東;曹慶平;張冬仙
• 申請（專利權）人: 浙江大學
• 主分類號: B22F9/08
• 分類號: B22F9/08;B82Y40/00
• 代理公司: 杭州求是專利事務所有限公司 33200
• 代理人: 邱啟旺

1.一種低熔點高導電高導熱金屬納米顆粒的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)混合鎵和其它金屬得到混合物，加熱直至全部融化且混合均勻，冷卻至室溫后得到液態金屬樣品；所述其它金屬由銦、鋅、錫、鉍、銻等中的一種或多種按任意比例混合組成；所述鎵占混合物的原子百分比不小于60at％。

(2)將活性劑溶質加入到極性溶劑中，得到活性劑溶液；所述活性劑溶液的濃度為1mM-6mM。

(3)取步驟(2)得到的活性劑溶液加入步驟(1)得到的液態金屬樣品；所述活性劑溶液與液態金屬樣品的體積質量比100ml:1g。

(4)對步驟(3)得到的混合溶液進行超聲振蕩2-12h，振幅為20％-90％，再用易揮發清洗劑離心清洗2-6次，轉速為1000-10000r/min，時間為2-8min，得到金屬納米顆粒。

2.根據權利要求1所述低熔點高導電高導熱金屬納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中，所述液態金屬樣品為Ga_85.8In_14.2或Ga₇₆In₁₄Sn₁₀。

3.根據權利要求1所述低熔點高導電高導熱金屬納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述步驟(2)中，所述活性劑溶質選自正十八烷基硫醇、正十二烷基硫醇、3-巰基-N-壬基丙酰胺；所述極性溶劑選自無水乙醇、丙酮；所述活性劑溶液的濃度為2mM。

4.根據權利要求1所述低熔點高導電高導熱金屬納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中，所述超聲振蕩的時間為6h，振幅為50％。

5.根據權利要求1所述低熔點高導電高導熱金屬納米顆粒的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中，所述離心清洗的次數為4次，轉速為10000r/min，時間為5分鐘；所述易揮發清洗劑選自無水乙醇、丙酮。

6.根據權利要求1所述低熔點、高導電、高導熱金屬納米顆粒，其特征在于，所述金屬納米顆粒的粒徑為10nm-1000nm。