[發(fā)明專利]一種鉿摻雜氧化鋅的光電探測器及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201911404847.5 | 申請日: | 2019-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN111162181A | 公開(公告)日: | 2020-05-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 葉蔥 | 申請(專利權(quán))人: | 武漢明芯儲能光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L51/46 | 分類號: | H01L51/46;H01L51/42;H01L51/48 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 430000 湖北省武漢市武漢經(jīng)濟*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 摻雜 氧化鋅 光電 探測器 及其 制備 方法 | ||
本發(fā)明涉及一種鉿摻雜氧化鋅的光電探測器及其制備方法,器件結(jié)構(gòu)為FTO/Hf?ZnO/CH3NH3PbI3/spiro?OMe TAD/Au,該器件展示了8.95%的光電轉(zhuǎn)換效率。同時,此器件展示了較好的光電響應(yīng)性能,其值在0偏壓下高達7.0A/W;而真空退火的器件的探測度最高,達到1002的響應(yīng)度。本發(fā)明操作步驟簡單,實驗成本低廉,制作的探測器具有較高的響應(yīng)度和探測靈敏度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體納米材料以及光電探測器技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種鉿摻雜氧化鋅的光電探測器及制備方法。
背景技術(shù)
光電探測器借助于其原材料來源廣泛,制備簡單,探測范圍可調(diào)等優(yōu)勢,在圖像傳感,環(huán)境監(jiān)測以及化學(xué)生物成像等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的潛力。有機無機雜化鹵化鉛鈣鈦礦材料近年來引起了廣泛的關(guān)注,它們具有較大的吸收系數(shù),長的載流子壽命和擴散長度,因而在太陽能電池、LED、光電探測器和激光器中都有較多應(yīng)用。然而,較差的穩(wěn)定性使得有機無機雜化鹵化鉛鈣鈦礦在空氣中水、氧分子的影響下很容易分解,限制了其在光電器件中的發(fā)展。作為直接寬帶隙半導(dǎo)體,ZnO因其禁帶寬度為3.3eV,具有優(yōu)良的光電性能,成本低廉,制備工藝成熟,是目前研究的熱點。人們通過向氧化物薄膜中引入摻雜來改善器件的性能,但是,目前未見鉿摻雜氧化鋅的光電探測器的報道。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是發(fā)展一種鉿摻雜氧化鋅的光電探測器及制備方法。為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:
一種鉿摻雜氧化鋅的光電探測器,主要由透明導(dǎo)電玻璃、電子傳輸層、鈣鈦礦吸光層、空穴傳輸層、金屬電極組成,其中電子傳輸層由鉿(Hf)元素摻入氧化鋅(ZnO)構(gòu)成,同時也是空穴阻擋層,鈣鈦礦吸光層是通過兩步法合成的CH3NH3PbI3(鈣鈦礦)構(gòu)成,空穴傳輸層是由 Spiro-OMe TAD構(gòu)成,同時也是電子阻擋層,金屬電極是由Au膜組成。
本發(fā)明的具體制備流程和工藝如下:
(1)分別用去離子水、丙酮、酒精超聲透明導(dǎo)電玻璃FTO各10分鐘,然后用紫外臭氧環(huán)境處理20分鐘;
(2)摻雜ZnO層采用旋涂制備:用1.0M的醋酸鋅溶液溶解在甲醇溶液中隨后攪拌15分鐘,采用3000r/min的轉(zhuǎn)速旋涂在FTO上,時間為30秒;在120℃條件下烘干8min,再轉(zhuǎn)移到馬沸爐中進行退火,時間為1.5h;
(3)鈣鈦礦層的合成方法采用傳統(tǒng)的兩步法:先將0.5M PbI2溶解在DMF(N,N-二甲基甲酰胺)中,在60℃條件下保溫10h使之充分溶解,然后過濾備用;將CH3NH3I溶解在異丙醇溶液中攪拌十分鐘備用;PbI2溶液采用2000轉(zhuǎn)30秒旋涂在ZnO樣品上,然后在熱臺上烤干,10分鐘后,在CH3NH3I異丙醇溶液中浸泡3分鐘,然后吹干;
(4)在樣品上做完鈣鈦礦層后再旋涂HTM層(空穴傳輸層):用spiro-OMe TAD,采用2000 轉(zhuǎn)30秒旋涂在鈣鈦礦層上面;
(5)最后的金電極采用蒸發(fā)蒸鍍的方法,蒸發(fā)速率為蒸鍍的Au電極的厚度為50-60nm。
即可制作出一個完整的光電探測器,同時還具有較高的光電轉(zhuǎn)換效率。
具體的,其中摻雜ZnO的制備是利用磁控濺射技術(shù)或原子層沉積的方法制備的,將ZnO 靶材料放在靶臺上,同時將摻雜靶材料Hf靶材放在靶臺上,對Hf靶材與ZnO靶材選用不同功率比例同時濺射,利用不同比例濺射功率來制備摻雜含量為6%~10%的材料,磁控濺射真空度小于10Pa、襯底溫度為室溫、工作壓強為0.3~0.8Pa、Hf靶材的濺射功率為10~30W, ZnO靶材的濺射功率為50~80W。
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