[發明專利]一種環氧封裝微型二極管及制作工藝有效
| 申請號: | 201911403212.3 | 申請日: | 2019-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN110970298B | 公開(公告)日: | 2023-08-04 |
| 發明(設計)人: | 劉德軍;閆義奇;丁曉宏;張開云;遲鴻燕;楊春梅 | 申請(專利權)人: | 中國振華集團永光電子有限公司(國營第八七三廠) |
| 主分類號: | H01L21/329 | 分類號: | H01L21/329;H01L21/50;H01L21/60 |
| 代理公司: | 貴州派騰知識產權代理有限公司 52114 | 代理人: | 汪勁松 |
| 地址: | 550018 貴州省*** | 國省代碼: | 貴州;52 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 封裝 微型 二極管 制作 工藝 | ||
1.一種環氧封裝微型二極管的制作工藝,其步驟為:
1)管芯制作:按常規工藝制作硅片后將其裂片為管芯;
2)引線加工:用具有彈性的金屬絲制作引線;
3)管芯裝配:使用引線將管芯夾緊在引線之間;
4)引線焊接:將管芯緩慢放入融化的錫鍋中再緩慢取出冷卻;
5)腐蝕:使用腐蝕液對管芯臺面進行酸腐蝕、堿腐蝕、清洗、鈍化;
6)臺面鈍化:在管芯上涂上硅橡膠;
7)封裝:使用環氧樹脂涂覆管芯后固化;
8)引線正負極分離:將引線中部剪開,加工完成;
所述引線為U型,其兩末端折彎90°后接觸;
所述步驟4)中使用鑷子尖端夾住管芯放入錫鍋中1~3秒,然后取出冷卻1~3秒;
所述步驟5)中酸腐蝕采用酸腐蝕液,酸腐蝕液按質量百分比是分析純的65%~68%的硝酸、≥40%的氫氟酸、95%~98%的硫酸、≥99.5%的冰乙酸、≥99.5%的磷酸按體積比1.2:1:1:2:2的混合溶液;
所述步驟5)中堿腐蝕采用堿腐蝕液,堿腐蝕液為3%~6%的氫氧化鉀溶液,其堿腐蝕溫度為58~98℃;
所述步驟5)中鈍化采用鈍化液,鈍化液按質量百分比是≥30%的雙氧水、≥85%的磷酸和離子水按2:2:5混合的混合液;
所述步驟5)中清洗采用清洗液,清洗劑按質量百分比是65%~68%的硝酸、≥40%的氫氟酸、95%~98%的硫酸、≥99.5%的冰乙酸按體積比8:2:2:5的混合溶液;
所述步驟6)中固化采用低溫固化,低溫成型的升溫速率10~15℃/min,升溫時間45~65min,燒結溫度600~680℃,恒溫時間5~40min,降溫速率≤5℃/min。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于中國振華集團永光電子有限公司(國營第八七三廠),未經中國振華集團永光電子有限公司(國營第八七三廠)許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201911403212.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種遠程門禁系統
- 下一篇:一種異形纖維及其制備方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





