[發明專利]高速半導體激光器及其調諧方法在審
| 申請號： | 201911401921.8 | 申請日： | 2019-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN111064074A | 公開（公告）日： | 2020-04-24 |
| 發明（設計）人： | 朱堯;鄒易;王任凡 | 申請（專利權）人： | 武漢敏芯半導體股份有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/10 | 分類號： | H01S5/10;H01S5/12;H01S5/22;H01S5/062;H01S5/0625 |
| 代理公司： | 湖北武漢永嘉專利代理有限公司 42102 | 代理人： | 許美紅 |
| 地址： | 430014 湖北省武漢市東湖新技術開發區金融港*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高速 半導體激光器 及其 調諧 方法 | ||
1.一種高速半導體激光器，其特征在于，包括：級聯的DFB節和無源腔反饋節， DFB節和無源腔反饋節均為脊波導結構，兩個脊之間刻蝕有電隔離槽；
所述DFB節從下而上依次設置有第一襯底、第一下緩沖層、光柵層、下分別限制層、有源層、上分別限制層、第一上緩沖層、第一停止腐蝕層、第一包層和第一覆蓋層，在第一覆蓋層上設有第一電極；
所述無源腔反饋節從下而上依次設置有第二襯底、第二下緩沖層、波導芯層、第二上緩沖層、第二停止腐蝕層、第二包層和第二覆蓋層，在第二覆蓋層上設有第二電極。
2.如權利要求1所述的高速半導體激光器，其特征在于，所述無源腔反饋節的波導芯層為InGaAsP，DFB節有源層采用InGaAlAs多量子阱結構。
3.如權利要求1或2所述的高速半導體激光器，其特征在于，無源腔反饋節的波導芯層材料帶隙大于DFB節的有源層材料帶隙。
4.如權利要求3所述的高速半導體激光器，其特征在于，無源腔反饋節的波導芯層材料折射率大于第二上緩沖層和第二下緩沖層材料折射率。
5.如權利要求3所述的高速半導體激光器，其特征在于，DFB節的光柵層和有源層的有效折射率均大于所述第一上緩沖層的折射率，且有源層的有效折射率要大于所述光柵層的有效折射率。
6.如權利要求4所述的高速半導體激光器，其特征在于， DFB節的出射端面鍍有增透膜。
7.如權利要求6所述的高速半導體激光器，其特征在于，無源腔反饋節的出射端面鍍有高反膜。
8.如權利要求7所述的高速半導體激光器，其特征在于，第一電極用于電注入直接調制，第二電極用于電注入調整無源反饋腔腔模相位。
9.如權利要求7所述的高速半導體激光器，其特征在于，DFB節長度為160-250μm，無源反饋腔節長度為200-240μm。
10.一種半導體激光器的調諧方法，其特征在于，該調諧方法基于權利要求1所述的高速半導體激光器，包括以下步驟：
由第一電極注入電流進行直接調制，電流達到閾值以上后DFB節開始工作；
通過改變第二電極電流改變無源反饋節的等效腔長；
調整無源反饋腔腔模頻率，使得無源反饋腔腔模和激光器激射模式諧振強度增強，同時調整腔模頻率和激射模頻率之間的差值，使得光子-光子諧振峰出現在合適的位置，增大激光器的調制帶寬。
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