[發明專利]封裝結構的制造方法

在審

• 申請號: 201911399348.1
• 申請日: 2019-12-30
• 公開（公告）號: CN113131890A
• 公開（公告）日: 2021-07-16
• 發明（設計）人: 宋月平;施林波
• 申請（專利權）人: 中芯集成電路（寧波）有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;H01L21/50;H01L21/56;B81C1/00
• 代理公司: 上海知錦知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31327
• 代理人: 高靜

1.一種封裝結構的制造方法，其特征在于，包括：

提供器件晶圓和晶圓級覆蓋基板，所述器件晶圓和晶圓級覆蓋基板通過位于兩者之間的鍵合層相結合，所述器件晶圓包括多個半導體芯片，所述半導體芯片包括有源區和輸入/輸出電極區，所述半導體芯片、鍵合層以及晶圓級覆蓋基板在所述有源區的位置處圍成空腔，所述輸入/輸出電極區的輸入/輸出電極位于所述空腔的外側，其中，所述晶圓級覆蓋基板的材料為鈮酸鋰或鉭酸鋰；

利用軟刀對相鄰所述半導體芯片之間的所述晶圓級覆蓋基板進行切割處理，形成多個分立的且與所述半導體芯片一一對應的芯片級覆蓋基板，所述芯片級覆蓋基板露出所述輸入/輸出電極區的輸入/輸出電極，且所述芯片級覆蓋基板的側壁與所述芯片級覆蓋基板背向所述器件晶圓的表面的夾角呈鈍角；

形成互連層，所述互連層保形覆蓋所述輸入/輸出電極區的輸入/輸出電極的表面、所述鍵合層和芯片級覆蓋基板的側壁、以及所述芯片級覆蓋基板的部分頂面。

2.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述晶圓級覆蓋基板與所述器件晶圓的襯底的材料相同。

3.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，利用所述鍵合層使所述晶圓級覆蓋基板和所述器件晶圓相結合后，利用軟刀對相鄰所述半導體芯片之間的所述晶圓級覆蓋基板進行切割處理之前，所述制造方法還包括：將所述器件晶圓貼附于膠膜層上；

利用軟刀對相鄰所述半導體芯片之間的所述晶圓級覆蓋基板進行切割處理后，形成所述互連層之前，所述制造方法還包括：去除所述膠膜層。

4.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，形成所述互連層的步驟包括：形成種子層，所述種子層保形覆蓋所述晶圓級覆蓋基板露出的器件晶圓表面、所述鍵合層的側壁、以及所述芯片級覆蓋基板的側壁和頂面；

在所述種子層上形成光刻膠層，所述光刻膠層內形成有圖形開口，所述圖形開口露出位于所述輸入/輸出電極區的輸入/輸出電極表面、所述鍵合層和芯片級覆蓋基板的側壁、以及所述芯片級覆蓋基板的部分頂面的種子層；

在所述圖形開口露出的所述種子層上形成互連層；

去除所述光刻膠層；

去除所述光刻膠層后，去除所述互連層露出的所述種子層。

5.如權利要求1或4所述的制造方法，其特征在于，利用軟刀對相鄰所述半導體芯片之間的所述晶圓級覆蓋基板進行切割處理后，所述芯片級覆蓋基板的側壁與所述芯片級覆蓋基板背向所述器件晶圓的表面的夾角為120度至150度。

6.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述軟刀的材料包括金剛石。

7.如權利要求6所述的制造方法，其特征在于，所述金剛石的顆粒粒徑為1微米至3微米。

8.如權利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述軟刀的刀刃角度為30度至60度。

9.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，利用軟刀對相鄰所述半導體芯片之間的所述晶圓級覆蓋基板進行切割處理的步驟中，所述切割處理的工藝參數包括：切割速度為5mm/s至15mm/s，軸轉速為10000rpm至30000rpm。

10.如權利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述切割處理的縱向進刀量大于所述晶圓級覆蓋基板的厚度，且所述切割處理的縱向進刀量與所述晶圓級覆蓋基板的厚度的差值為5微米至10微米。

11.如權利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述膠膜層包括UV膠膜。

12.如權利要求4所述的制造方法，其特征在于，采用物理氣相沉積工藝形成所述種子層，采用電鍍工藝形成所述互連層。