[發明專利]氣體傳送管路以及半導體設備

有效

• 申請號: 201911398519.9
• 申請日: 2019-12-30
• 公開（公告）號: CN111081611B
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: 韓瑞津;曾輝
• 申請（專利權）人: 廣州粵芯半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67;F17C7/04;F17D1/04;F17D3/01
• 代理公司: 上海思捷知識產權代理有限公司 31295
• 代理人: 王宏婧

1.一種氣體傳送管路，應用于集成電路技術領域，并用于向一半導體設備的反應腔室輸送氣體，其特征在于，所述氣體傳送管路包括至少兩個支管路以及至少一個135°彎頭，相鄰的兩個所述支管路通過至少一個所述135°彎頭連通，以避免在轉彎處因壓力驟降引起的局部溫度降低而造成的氣體冷凝成液滴的現象發生，所述氣體在所述氣體傳送管路中的雷諾數小于1000，其中，所述氣體傳送管路是三氯氫硅和氫氣的混合氣體管路。

2.如權利要求1所述的氣體傳送管路，其特征在于，包括：

兩個所述支管路，其分別為第一支管路和第二支管路，所述第一支管路和第二支管路垂直設置；

兩個所述135°彎頭，兩個所述135°彎頭相互連接，連接后的兩個所述135°彎頭具有第一端口和第二端口；

其中，所述第一端口連接所述第一支管路的一個端口，所述第二端口連接所述第二支管路的一個端口。

3.如權利要求2所述的氣體傳送管路，其特征在于，所述氣體傳送管路的內徑大于等于0.4英寸。

4.如權利要求3所述的氣體傳送管路，其特征在于，所述氣體傳送管路的總長度小于10米。

5.如權利要求4所述的氣體傳送管路，其特征在于，所述氣體傳送管路的外壁上纏繞有隔熱材料。

6.如權利要求5所述的氣體傳送管路，其特征在于，所述氣體傳送管路上還設置有若干溫控結構，所述溫控結構用于對所述氣體傳送管路輸送的氣體進行溫度控制，以使所述氣體傳送管路輸送的氣體自入口至出口處溫度逐步升高。

7.一種半導體設備，所述半導體設備包括一反應腔室，其特征在于，還包括如權利要求1-6中任一項所述的氣體傳送管路，所述氣體傳送管路與所述反應腔室連接，并用于向所述反應腔室輸送氣體。

8.如權利要求7所述的半導體設備，其特征在于，所述半導體設備為外延設備，所述外延設備還包括汽化器，所述汽化器通過所述氣體傳送管路向所述反應腔室提供氣體。

9.如權利要求8所述的半導體設備，其特征在于，所述汽化器包括：

化學容器桶，用于提供氣相外延工藝所需的液態三氯氫硅；

汽液分離器，所述汽液分離器與所述化學容器桶連通；以及，

控制閥，所述控制閥設置在所述化學容器桶和汽液分離器之間，用于控制液態三氯氫硅流入所述汽液分離器的流量以及調節所述汽液分離器中的液位。

10.如權利要求9所述的半導體設備，其特征在于，所述控制閥將汽液分離器中液位控制在所述汽液分離器總容量的65％-75％。