[發明專利]一種雙金屬共摻雜硫化鋅薄膜及其制備方法與量子點發光二極管在審
| 申請號： | 201911398455.2 | 申請日： | 2019-12-30 |
| 公開（公告）號： | CN113120951A | 公開（公告）日： | 2021-07-16 |
| 發明（設計）人： | 郭煜林;吳龍佳;張天朔;李俊杰 | 申請（專利權）人： | TCL集團股份有限公司 |
| 主分類號： | C01G9/08 | 分類號： | C01G9/08;H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳市君勝知識產權代理事務所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 王永文 |
| 地址： | 516006 廣東省*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 雙金屬 摻雜 硫化鋅 薄膜 及其 制備 方法 量子 發光二極管 | ||
1.一種雙金屬共摻雜硫化鋅薄膜的制備方法，其特征在于，包括步驟：
將鋅鹽、銦鹽以及銀鹽分散在有機溶劑中，得到金屬鹽溶液；
將所述金屬鹽溶液與硫源混合，反應得到銦、銀摻雜的硫化鋅納米顆粒溶液；
將所述銦、銀摻雜的硫化鋅納米顆粒溶液制備成膜，制得雙金屬共摻雜硫化鋅薄膜。
2.根據權利要求1所述雙金屬共摻雜硫化鋅薄膜的制備方法，其特征在于，所述金屬鹽溶液中包括鋅離子、銦離子以及銀離子，其中，所述銦離子與所述銀離子的摩爾量總和與所述鋅離子的摩爾量之比為0.01-0.1:1。
3.根據權利要求2所述雙金屬共摻雜硫化鋅薄膜的制備方法，其特征在于，所述硫源中的硫元素與所述金屬鹽溶液中鋅離子的摩爾比為1.2-3:1。
4.根據權利要求1所述雙金屬共摻雜硫化鋅薄膜的制備方法，其特征在于，所述向所述金屬鹽溶液中加入硫源，反應得到銦、銀摻雜的硫化鋅納米顆粒溶液的步驟包括：
向所述金屬鹽溶液中加入硫源，在60-80℃的條件下反應1-4h，制得所述銦、銀摻雜的硫化鋅納米顆粒溶液。
5.根據權利要求1-4任一所述雙金屬共摻雜硫化鋅薄膜的制備方法，其特征在于，所述鋅鹽為醋酸鋅、硝酸鋅、氯化鋅和二水合乙酸鋅中的一種或多種。
6.根據權利要求1-4任一所述雙金屬共摻雜硫化鋅薄膜的制備方法，其特征在于，所述銦鹽為硝酸銦、氯化銦和乙酸銦中的一種或多種。
7.根據權利要求1-4任一所述雙金屬共摻雜硫化鋅薄膜的制備方法，其特征在于，所述銀鹽為醋酸銀、乙酰丙酮銀和甲烷磺酸銀中的一種或多種。
8.根據權利要求1-4任一所述雙金屬共摻雜硫化鋅薄膜的制備方法，其特征在于，所述硫源為硫脲、硫化鈉、硫代乙酰胺和L-半胱氨酸中的一種或多種。
9.一種雙金屬共摻雜硫化鋅薄膜，其特征在于，采用權利要求1-8任一項所述的制備方法制備而成。
10.一種量子點發光二極管，包括陽極、陰極以及設置在所述陰極和陽極之間的量子點發光層，所述陰極和所述量子點發光層之間設置有電子傳輸層，其特征在于，所述電子傳輸層為權利要求9所述的雙金屬共摻雜硫化鋅薄膜。
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