[發明專利]一種多晶濕法黑硅清洗工藝

在審

• 申請號: 201911398427.0
• 申請日: 2019-12-30
• 公開（公告）號: CN111128684A
• 公開（公告）日: 2020-05-08
• 發明（設計）人: 陳早;候成成;管自生;印越
• 申請（專利權）人: 南京納鑫新材料有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02
• 代理公司: 北京挺立專利事務所(普通合伙) 11265
• 代理人: 石磊

本發明公開了一種多晶濕法黑硅清洗工藝，包括在氨水脫銀前，加個堿處理槽進行堿液清洗處理,不僅能快速去除表面多孔硅等爛結構，同時可以使挖孔產生的小孔的孔徑更加的平整光滑，從而有利于后續兩步氨水充分與銀離子進行絡合反應，增強脫銀效果，減少表面金屬銀離子的殘留。本發明優化的多晶濕法黑硅清洗的工藝，能夠提升產線生產的穩定性，避免出現類似“龜殼類”的EL不良，從而大大提升產品優質率和整體良率。

技術領域

本發明屬于濕法黑硅電池制備技術領域，具體的涉及一種多晶濕法黑硅清洗工藝。

背景技術

隨著金剛線切割技術的不斷發展，金剛線多晶硅片已基本取代了傳統的砂漿線硅片，同時利用金屬離子催化的濕法黑硅技術(MCCE)也以在各大企業中進行了批量化生產。

但目前的濕法黑硅技術都是需要重金屬(銀和銅等)進行表面催化反應的，從而在現有的工藝制備流程中，如何將這些金屬離子更好的清洗掉，是一個重要的環節。

目前市場現有的黑硅去金屬離子的工藝流程是，采用多步的前后氨水和雙氧水清洗，但在這種情況下，目前產線的多步前后氨水雙氧水清洗的流程，還是會在一定程度上導致重金屬離子在硅片表面上殘留，其主要原因是，硅片在經沉銀挖孔工藝流程后，會有大量的多孔硅等爛結構，覆蓋在硅片的表面，而如果這些覆蓋物沒有被很好的去除掉，會進一步影響后面氨水雙氧水清洗的效果，從而導致產線的工藝不穩定，不定時的出現類似于“龜殼狀”的EL不良。

究其原因主要是目前的多步前后氨水和雙氧水清洗流程，還是會在一定程度上導致重金屬殘留在硅片表面，從而在后續的電池擴散工序中，被高溫推進到硅體內部形成高密度的復合中心，造成制程的黑硅電池片效率大幅降低，造成類似于“龜殼狀”的EL不良。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是：提升產線生產的穩定性，避免出現類似“龜殼類”的EL不良，從而大大提升產品優質率和整體良率。

為了解決上述技術問題，發明人經過實踐和總結得出本發明的技術方案，本發明公開了一種多晶濕法黑硅清洗工藝，包括在沉銀挖孔后、兩步氨水脫銀前增加堿洗流程。

優選的，所述堿洗在堿洗槽中進行，所用溶液為堿液。

優選的，所述堿液中堿為氫氧化鉀。

優選的，所述堿液中堿的體積百分數為1～20％。

優選的，硅片堿洗溫度為25度～55度，清洗時間為30～120s。

優選的，堿洗后的硅片反射率控制在4～6之間。

優選的，堿洗后的硅片反射率為5。

優選的，一種多晶濕法黑硅清洗工藝包括初拋-沉銀挖孔-堿洗-兩步氨水脫銀-擴孔-堿氨水洗-酸洗-烘干的步驟。

最后在依序過常規兩步氨水清洗，擴孔，堿氨水洗，酸洗，水洗，烘干等流程，后在將制絨后的硅片，按造正常電池片生產工藝流程進行，低壓擴散，鏈式背面刻蝕，PECVD鍍膜鈍化，絲網印刷和燒結等工序，最后在進行效率測試和EL在線檢測。

與現有技術相比，本發明可以獲得以下技術效果：

1.本發明硅片經前面沉銀挖孔后，由于在金屬銀離子的催化反應下，實際硅體表面發生了電化學腐蝕硅的反應，從而產生了大量的多孔硅等爛結構，覆蓋在硅片的表面，其中納米級的銀離子也不均勻的分布在其中，所以在氨水脫銀前，加個堿處理槽能快速去除表面多孔硅等爛結構，同時可以使挖孔產生的小孔的孔徑更加的平整光滑，從而有利于后續兩步氨水充分與銀離子進行絡合反應，增強脫銀效果，減少表面金屬銀離子的殘留。

2.本發明優化的多晶濕法黑硅清洗的工藝，能夠提升產線生產的穩定性，避免出現類似“龜殼類”的EL不良，從而大大提升產品優質率和整體良率。

附圖說明